[发明专利]压缩性氮化物层的制造方法和形成晶体管的方法有效
| 申请号： | 200610077218.2 | 申请日： | 2006-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101064254A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 陈能国;蔡腾群;黄建中 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压缩性 氮化物 制造 方法 形成 晶体管 | ||
1.一种形成金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：
提供基底，该基底具有PMOS区与NMOS区；
于该PMOS区与该NMOS区的该基底上各形成栅极结构；
于该基底上形成第一缓冲层，以覆盖各该栅极结构；
于各该栅极结构两侧的该基底中形成源极与漏极；以及
分别于该PMOS区与该NMOS区的该基底上沉积压缩介电层和张力介电层，以覆盖各该栅极结构与该源极与漏极，其中
沉积该压缩介电层的方法包括在化学气相沉积工艺期间通入特定气体，其中该特定气体是选自包括氩气、氮气、氪气和氙气的其中一种气体或其组合。
2.如权利要求1所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中该特定气体是氩气和氮气的组合气体时，氩气流量包括在100sccm～5000sccm之间以及氮气流量包括在1000sccm～30000sccm之间。
3.如权利要求1所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中该化学气相沉积工艺所采用的低频功率包括在50W～3000W之间。
4.如权利要求1所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中形成该源极与漏极之后与形成该第一缓冲层之前，还包括于各该栅极结构顶面以及该源极与漏极的表面形成金属硅化物层。
5.如权利要求1所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中在沉积该压缩介电层之后沉积该张力介电层。
6.如权利要求5所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中沉积该压缩介电层之后以及沉积该张力介电层之前，还包括于该基底上形成第二缓冲层，以覆盖该压缩介电层。
7.如权利要求1所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中在沉积该张力介电层之后沉积该压缩介电层。
8.如权利要求7所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中沉积该张力介电层之后以及沉积该压缩介电层之前，还包括于该基底上形成第二缓冲层，以覆盖该张力介电层。
9.如权利要求1所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中所沉积的该压缩介电层包括氮化硅层、含碳的氮化硅层或含氧的氮化硅层。
10.如权利要求1所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中该基底包括在(100)晶面有<100>晶向。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610077218.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具安全断电功能的碎纸机
- 下一篇：可挂各种口径塑料方便袋接呕吐物装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
