[发明专利]集成电路参数调校方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种振荡电路参数调校方法，尤其涉及一种利用外部装置调校振荡电路内部模拟电路的控制模拟参数的振荡电路参数调校方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，对于电路输出信号的精确度要求也更为严谨，然而，在制造过程中却仍不免会有误差产生，例如对于一个振荡电路1内部的RC振荡电路11而言，时常会发生RC振荡频率输出值的偏移量超过±20％以上的误差，因此必须通过调校步骤方能将偏移量修正至合理范围。请参阅图1，其为第一种公知振荡电路参数调校方法。首先，在振荡电路内部加入多个Trim Pad12(Trim Pad 1、Trim Pad 2......Trim Pad n)，当检测到RC振荡电路11的振荡频率输出值超出预设值范围时，则利用硬件烧断保险丝(Fuse)的方式，将误差修正至可接受的范围。然而，此种调校方式对于需要超高精确度的振荡电路而言，往往会因Trim Pad12数量的增加，而提高硬件成本。

请参阅图2，其为第二种公知振荡电路参数调校方法。在成品出厂前，先利用测试模式21对振荡电路2的内部模拟电路22进行测试，并依据测试结果作误差修正，再通过输入/输出单元24将修正后的调校值直接烧录至该振荡电路2的非易失性存储器23中。一般而言，该内部模拟电路为RC振荡电路221以及低压检测电路222。此外，若非易失性存储器23采用较便宜的EPROM，由于其仅能烧录一次，因此烧录至该非易失性存储器的数值并无法保证为最佳数值；若非易失性存储器23采用价格较高的EEPROM或其它可重复烧录的非易失性存储器，由于其具有重复烧录的特性，因此当发生工艺漂移或电路设计非线性等因素而导致第一次的烧录值并非为最佳数值时，则可利用重新烧录以避免EPROM所造成的不足，但其成本相对比EPROM要高出许多。

综合上述，因此需要一种振荡电路参数调校方法，可同时兼顾精确性及制造成本上的考虑，来解决现有技术的不足。

发明内容

本发明的主要目的为提供一种振荡电路参数调校方法，其利用具有检测模式及调校模式的外部装置来提高振荡电路的内部模拟电路的输出值的精确度。

为达上述目的，本发明提供一种振荡电路参数调校方法，其包括下列步骤：步骤1，输入初始值至该振荡电路内部的锁存寄存器(latch register)；步骤2，利用该振荡电路的内部模拟电路读取最后输入该锁存寄存器的数值，并利用该数值产生输出值；步骤3，利用外部装置的检测模式，检测该输出值；步骤4，判断该输出值是否超出预设值范围，若该输出值超出该预设值范围则进行步骤5，反之，则进行步骤6；步骤5，利用该外部装置的调校模式取得调校值，并将该调校值输入该锁存寄存器(latch register)中，再返回到步骤2；步骤6，将最后输入该锁存寄存器(latch register)的数值写入该振荡电路的非易失性存储器。

优选地，该外部装置为烧录器或测试机台，且该外部装置为可执行该步骤6的装置。

优选地，该内部模拟电路为RC振荡电路，且该输出值为振荡频率。

优选地，该非易失性存储器可选择为EPROM、EEPROM、FLASH ROM以及其它种类的非易失性存储器其中之一。

为达上述目的，本发明提供一种振荡电路参数调校方法，其包括下列步骤：步骤1，输入初始值至该振荡电路内部的锁存寄存器(latch register)；步骤2，利用该振荡电路的内部模拟电路读取最后输入该锁存寄存器的数值，并利用该数值产生输出值；步骤3，利用外部装置的检测模式，检测该输出值；步骤4，判断该输出值的对应值是否超出预设值范围，若该输出值超出该预设值范围则进行步骤5，反之，则进行步骤6；步骤5，利用该外部装置的调校模式取得调校值，并将该调校值输入该锁存寄存器(latch register)中，再返回到步骤2；步骤6，将最后输入该锁存寄存器(latch register)的数值写入该振荡电路的非易失性存储器。

优选地，该外部装置为烧录器或测试机台，且该外部装置为可执行该步骤6的装置。

优选地，该内部模拟电路为低压检测电路，且该输出值为电平转态判别信号，并且该对应值为实际电源电压。

优选地，该非易失性存储器可选择为EPROM、EEPROM、FLASH ROM以及其它种类的非易失性存储器其中之一。

由此可以看出，本发明能提高振荡电路的参数精确性及降低振荡电路的制造成本。

附图说明

图1为第一种公知振荡电路参数调校方法。