[发明专利]集成电路参数调校方法有效
| 申请号： | 200610077186.6 | 申请日： | 2006-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101064276A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 许续贺 | 申请（专利权）人： | 盛群半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 参数 调校 方法 | ||
1、一种振荡电路的频率参数调校方法，包括下列步骤：
步骤1：输入初始值至该振荡电路内部的锁存寄存器；
步骤2：利用该振荡电路的RC振荡电路读取最后输入该锁存寄存器的数值，并利用该数值产生振荡频率输出值；
步骤3：利用外部装置的检测模式，检测该振荡频率输出值；
步骤4：判断该振荡频率输出值是否超出预设值范围，若超出该预设值范围则进行步骤5，反之，则进行步骤6；
步骤5：利用该外部装置的调校模式取得调校值，并将该调校值输入该锁存寄存器中，再返回到步骤2；以及
步骤6：将最后输入该锁存寄存器的数值写入该振荡电路的非易失性存储器。
2、根据权利要求1所述的振荡电路的频率参数调校方法，其中该外部装置为烧录器以及测试机台其中之一。
3、根据权利要求2所述的振荡电路的频率参数调校方法，其中该外部装置为执行步骤6的装置。
4、根据权利要求1所述的振荡电路的频率参数调校方法，其中该非易失性存储器为EPROM、EEPROM以及FLASH ROM其中之一。
5、一种振荡电路的电平参数调校方法，包括下列步骤：
步骤1：输入初始值至该振荡电路内部的锁存寄存器；
步骤2：利用该振荡电路的低压检测电路读取最后输入该锁存寄存器的数值，并利用该数值产生电平转态判别信号；
步骤3：利用外部装置的检测模式，检测该电平转态判别信号；
步骤4：判断该电平转态判别信号的所对应的实际电源电压是否超出预设值范围，若超出该预设值范围则进行步骤5，反之，则进行步骤6；
步骤5：利用该外部装置的调校模式取得调校值，并将该调校值输入该锁存寄存器中，再返回到步骤2；以及
步骤6：将最后输入该锁存寄存器的数值写入该振荡电路的非易失性存储器。
6、根据权利要求5所述的振荡电路的电平参数调校方法，其中该外部装置为烧录器以及测试机台其中之一。
7、根据权利要求6所述的振荡电路的电平参数调校方法，其中该外部装置为执行步骤6的装置。
8、根据权利要求5所述的振荡电路的电平参数调校方法，其中该非易失性存储器为EPROM、EEPROM以及FLASH ROM其中之一。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
