[发明专利]有源式有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200610075835.9 | 申请日: | 2006-04-20 |
| 公开(公告)号: | CN101060130A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
| 发明(设计)人: | 邓德华;陈嘉谦;吕芳毅;吴柄纬;杨芸佩 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
| 地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有源 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有源式有机发光二极管显示装置的制造方法,其特征是包括:
提供基板;
形成元件层于该基板上,该元件层具有多个有源元件;
在该元件层上形成平坦层;
在该平坦层上形成第一彩色光刻胶层;
图案化该第一彩色光刻胶层而形成第一彩色滤光层,并定义出第一像素区,且该第一彩色滤光层具有第一开口;
在该平坦层上形成第二彩色光刻胶层;
图案化该第二彩色光刻胶层而形成第二彩色滤光层,并定义出第二像素区,且该第二彩色滤光层具有第二开口;
在该平坦层上形成第三彩色光刻胶层;
图案化该第三彩色光刻胶层而形成第三彩色滤光层,并定义出第三像素区,且该第三彩色滤光层具有第三开口;
以该第一、第二与第三彩色滤光层为掩膜,移除该第一、第二与第三开口下方的该平坦层而形成多个接触窗开口,以暴露出部分上述多个有源元件;
在该第一、第二与第三像素区中分别形成一第一、第二与第三像素电极,且该第一、第二与第三像素电极分别通过上述多个接触窗开口与上述多个有源元件电连接;以及
分别在该第一、第二与第三像素电极上形成第一、第二与第三有机发光材料层。
2.根据权利要求1所述的有源式有机发光二极管显示装置的制造方法,其特征是图案化该第一、第二与第三彩色光刻胶层的方法包括以半透光光刻掩膜为掩膜,分别图案化该第一、第二与第三彩色光刻胶层。
3.根据权利要求1所述的有源式有机发光二极管显示装置的制造方法,其特征是该第一彩色滤光层是红色滤光层,该第二彩色滤光层是绿色滤光层,而该第三彩色滤光层是蓝色滤光层。
4.根据权利要求1所述的有源式有机发光二极管显示装置的制造方法,其特征是该第一、第二与第三有机发光材料层组成成份不同。
5.根据权利要求1所述的有源式有机发光二极管显示装置的制造方法,其特征是该第一、第二与第三有机发光材料层组成成份相同。
6.一种有源式有机发光二极管显示装置,其特征是包括:
基板;
元件层,设置于该基板上,而该元件层具有多个有源元件;
平坦层,设置于该元件层上,该平坦层具有多个接触窗开口而分别暴露出部分上述多个有源元件;
第一彩色滤光层,设置于该平坦层上,其中该第一彩色滤光层具有第一像素区及第一开口,且该第一开口位于部分上述多个接触窗开口的上方;
第二彩色滤光层,设置于该平坦层上,其中该第二彩色滤光层具有第二像素区及第二开口,且该第二开口位于部分上述多个接触窗开口的上方;
第三彩色滤光层,设置于该平坦层上,其中该第三彩色滤光层具有第三像素区及第三开口,且该第三开口位于部分上述多个接触窗开口的上方;
第一、第二与第三像素电极,分别设置于该第一、第二与第三像素区中,且该第一、第二与第三像素电极分别通过该第一、第二与第三开口以及上述多个接触窗开口与上述多个有源元件电连接;以及
第一、第二与第三有机发光材料层,分别设置于该第一、第二与第三像素电极上。
7.根据权利要求6所述的有源式有机发光二极管显示装置,其特征是该第一彩色滤光层是红色滤光层,该第二彩色滤光层是绿色滤光层,而该第三彩色滤光层是蓝色滤光层。
8.根据权利要求6所述的有源式有机发光二极管显示装置,其特征是该第一、第二与第三有机发光材料层组成成份不同。
9.根据权利要求6所述的有源式有机发光二极管显示装置,其特征是该第一、第二与第三有机发光材料层组成成份相同。
10.根据权利要求6所述的有源式有机发光二极管显示装置,其特征是上述多个有源元件包括薄膜晶体管。
11.根据权利要求10所述的有源式有机发光二极管显示装置,其特征是每一个薄膜晶体管包括:
硅岛状物,设置于该基板上;
栅绝缘层,覆盖该硅岛状物;
栅极,设置于该硅岛状物上方的该栅绝缘层上;
源极/漏极,设置于该栅极两侧下方的该硅岛状物中,而该源极/漏极之间是通道区;
层间介电层,覆盖该栅极,且该层间介电层暴露出部分该源极/漏极;以及
源极/漏极接触金属,分别与该源极/漏极电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





