[发明专利]半穿半反式液晶显示器制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器制造方法，特别是一种半穿半反式液晶显示器(transflective liquid crystal display，TRLCD)制造方法。

背景技术

在液晶显示器广泛应用的今天，便携式产品要求低耗电，长时间的使用，且在户外强烈日光下的可见功能也相当重要。半穿半反式液晶显示器便能符合上述需求，在室内较暗环境下，可由穿透区利用显示器内置的背光光源作为所需光源，清楚显示画面；而在户外光线充足的环境下，也可由反射区利用环境光源作为显像所需光源，清楚显示画面。

目前，为减少半穿半反式液晶显示器制造方法的步骤，业界通常采用一平板狭缝型光罩进行曝光显影，其基本步骤包括：在基板上利用前四道普通光罩工艺形成一栅极、一半导体层、一源极与一漏极，同时，在基板上定义一反射区与一穿透区；形成一钝化层在上述包括栅极、半导体层、源极与漏极的基板表面；依次形成一像素电极、一缓冲层与一反射金属层在该钝化层表面；在该反射金属层表面沉积一光阻层；利用平板狭缝型光罩对该穿透区与该反射区对应的光阻层进行曝光显影，使得该光阻层在该反射区内的厚度大于该光阻层在该穿透区的厚度；灰化该光阻层，以去除穿透区的光阻层，反射区则剩余部分光阻层；蚀刻该穿透区的缓冲层与反射金属层，暴露出穿透区的像素电极，即形成穿透电极；去除反射区的剩余光阻，暴露出反射区的反射金属层，即形成反射电极。

上述半穿半反式液晶显示器制造方法，利用一平板狭缝型光罩在曝光时可控制透光率的特性来实现在同一步骤中同时形成反射电极与穿透电极，从而减少了光罩工艺，达到简化制造步骤，降低制造成本的目的。然而，由于采用平板狭缝型光罩进行曝光显影仅能控制光阻层厚度而无法控制光阻层的形状，从而导致形成的反射电极为一平面结构，其反射率较低，无法达到良好的反射效果。

发明内容

为了解决现有技术制造的半穿半反式液晶显示器的反射率较低的问题，有必要提供一种具有较高反射率的半穿半反式液晶显示器制造方法。

一种半穿半反式液晶显示器制造方法，其包括以下步骤：步骤一，提供一透明绝缘基板，其具有一薄膜晶体管区、一穿透区与一反射区；步骤二，依次沉积一第一金属层与一第一光阻层在该透明绝缘基板表面，该第一金属层是由具有不同蚀刻率的多层金属层层叠设置而成，且各金属层按蚀刻率自下而上依次增大的沉积顺序进行排列；步骤三，利用一第一光罩对该第一光阻层进行曝光，并显影该第一光阻层，然后蚀刻该第一金属层，从而在该薄膜晶体管区形成一栅极，在该反射区形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起，灰化剩余的第一光阻层，暴露出栅极与凸起；步骤四，沉积一栅极绝缘层在该形成有该栅极与凸起的透明绝缘基板上；步骤五，沉积一半导体材料层与一第二光阻层在该栅极绝缘层上，并利用一第二光罩对该第二光阻层进行曝光，并显影该第二光阻层，然后以剩余的第二光阻层为光罩蚀刻该半导体材料层从而形成一半导体层；步骤六，沉积一第二金属层与一第三光阻层在具有该半导体层与栅极绝缘层的透明绝缘基板上，利用一第三光罩对该第三光阻层进行曝光，并显影该第三光阻层，然后以剩余的第三光阻层为光罩蚀刻该第二金属层，从而形成一源极及一漏极；步骤七，依次沉积一钝化层与一第四光阻层在该具有源极、漏极与半导体层的透明绝缘基板上，利用一第四光罩对该第四光阻层进行曝光，并显影该第四光阻层，然后以剩余的第四光阻层为光罩蚀刻该钝化层，从而形成一连接孔，在该连接孔处暴露出该漏极；步骤八，依次沉积一像素电极材料层与一第五光阻层在该钝化层表面，利用一第五光罩曝光该第五光阻层，并显影该第五光阻层，然后以剩余的第五光阻层为光罩蚀刻该像素电极材料层，从而形成一像素电极，并在暴露出该像素电极的穿透区形成一穿透电极，在暴露出该像素电极的反射区形成一一反射电极。