[发明专利]半穿半反式液晶显示器制造方法

权利要求书

1.一种半穿半反式液晶显示器制造方法，其包括以下步骤：

步骤一，提供一透明绝缘基板，其具有一薄膜晶体管区、一穿透区与一反射区；

步骤二，依次沉积一第一金属层与一第一光阻层在该透明绝缘基板表面，该第一金属层是由具有不同蚀刻率的多层金属层层叠设置而成，且各金属层按蚀刻率自下而上依次增大的沉积顺序进行排列；

步骤三，利用一第一光罩对该第一光阻层进行曝光，并显影该第一光阻层，然后蚀刻该第一金属层，从而在该薄膜晶体管区形成一栅极，在该反射区形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起，灰化剩余的第一光阻层，暴露出栅极与凸起；

步骤四，沉积一栅极绝缘层在该形成有该栅极与凸起的透明绝缘基板上；

步骤五，依次沉积一半导体材料层与一第二光阻层在该栅极绝缘层上，并利用一第二光罩对该第二光阻层进行曝光，并显影该第二光阻层，然后以剩余的第二光阻层为光罩蚀刻该半导体材料层从而形成一半导体层；

步骤六，沉积一第二金属层与一第三光阻层在具有该半导体层与栅极绝缘层的透明绝缘基板上，利用一第三光罩对该第三光阻层进行曝光，并显影该第三光阻层，然后以剩余的第三光阻层为光罩蚀刻该第二金属层，从而形成一源极及一漏极；

步骤七，依次沉积一钝化层与一第四光阻层在该具有源极、漏极与半导体层的透明绝缘基板上，利用一第四光罩对该第四光阻层进行曝光，并显影该第四光阻层，然后以剩余的第四光阻层为光罩蚀刻该钝化层，从而形成一连接孔，在该连接孔处暴露出该漏极；

步骤八，依次沉积一像素电极材料层与一第五光阻层在该钝化层表面，利用一第五光罩曝光该第五光阻层，并显影该第五光阻层，然后以剩余的第五光阻层为光罩蚀刻该像素电极材料层，从而形成一像素电极，并在暴露出该像素电极的穿透区形成一穿透电极，在暴露出该像素电极的反射区形成一反射电极。

2.如权利要求1所述的半穿半反式液晶显示器制造方法，其特征在于：该第一光罩包括一遮光区与一透光区，该穿透区对应该透光区设置，该薄膜晶体管区部分对应该遮光区设置，该反射区对应的第一光罩部分由该遮光区与透光区间隔设置而成。

3.如权利要求1所述的半穿半反式液晶显示器制造方法，其特征在于：在该像素电极表面进一步依序沉积一缓冲层、一反射金属层与一第六光阻层，利用一第六光罩曝光该第六光阻层，并显影该第六光阻层，然后以剩余的第六光阻层为光罩蚀刻该反射金属层和缓冲层，灰化剩余的第六光阻层，使得该穿透区对应的穿透电极处暴露出该像素电极，在该反射区对应的反射电极处暴露出该反射金属层。

4.如权利要求3所述的半穿半反式液晶显示器制造方法，其特征在于：该第六光罩包括一遮光区与一透光区，该透光区对应该薄膜晶体管区及该穿透区设置，该遮光区对应该反射区设置。