[发明专利]放置于电路上方的焊垫

说明书

技术领域

本发明涉及一种焊垫，尤其涉及一种放置于电路上方的焊垫。

背景技术

目前在电路上放置焊垫(Pad)的结构一般采用三或四层尽量多的金属堆砌(层数取决于电路使用的连线金属层次)，如图1所示，焊垫位于电路1上方，焊垫与电路1之间有介质层6，焊垫采用四层金属金属层2、金属层3、金属层4、金属5，金属层之间采用尽量多的穿孔(Via)7，这样可以有效消除封装时，金球键合造成的应力和压力影响。但目前的焊垫结构由于使用尽量多的金属堆砌来达到缓解键合引起的问题，势必造成焊垫金属离电路和电路布线金属只有一个介质层的高度，这样会存在较大的寄生电容，在某些特殊电路形式下，尤其是高速电路，较大的寄生电容会极大地影响电路工作；如果单为减小寄生电容而减少堆砌金属层数，那么就无法有效达到消除键合应力和压力的影响，对于下方的电路特性仍会存在损伤；同时，因为金属层数的减少，焊垫的稳定性也会有所下降，容易脱落。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种放置于电路上方的焊垫，能有效降低焊垫寄生电容对于焊垫下电路性能的影响，且焊垫的稳定性强，不易脱落。

为解决上述技术问题，本发明提供一种放置于电路上方的焊垫，该焊垫采用两层金属，该焊垫的边缘开槽。

所述开槽的数目为1～3条，所述开槽的宽度为1um～5um，所述开槽的长度为5～30um，所述开槽的槽间距离为1um～5um。

所述焊垫的边缘开槽位于焊垫的四个角，开槽的形状为“L”型。

所述的两层金属中位于上方的顶层金属采用厚铝，并加厚顶层金属的厚度。

所述的开槽填入介质或钝化层。

和现有技术相比，本发明具有以下有益效果：采用尽量少的金属形成焊垫，只需要用到两层金属形成焊垫，就可以在焊垫下面放置半导体元器件而不会遭受破坏，并有效降低焊垫寄生电容对于焊垫下电路性能的影响；通过焊垫上开槽并增加顶层金属的厚度，并且尽量多的在两层金属间打穿孔，以缓解封装压焊时的应力与压力对电路性能的影响。而且开槽部分由于填入了介质层或钝化层，可以有效地增强焊垫的稳定性，不易脱落。

附图说明

图1是现有的放置于电路上方的焊垫的结构示意图；

图2是本发明放置于电路上方的焊垫的俯视图；

图3是图2的E-E剖面剖视图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。

以六铝工艺上，实现本发明焊垫设计为例：

如图2所示，在焊垫四个角上的金属开槽区域11进行“L”型开槽，以缓解压焊造成的应力影响。以两根槽为例，槽宽A＝1um～5um，槽间距离B＝1um～5um，开槽长度D＝5～30um，金属到槽距离C＝2um～10um。

如图3所示，使用两层金属金属层15和金属层16，使得焊垫与电路12之间保持足够的介质层厚度13，以降低金属与电路12间的寄生电容，使得高速电路12可以安全的放置在金属焊垫下。在两层金属金属层15和金属层16之间的穿孔17要求打得尽量的密与多，由于穿孔17多用钨塞材料，这种材料质地坚硬，可以起到很好的支撑作用，进一步消除压焊带来的压力影响；顶层金属16采用厚铝(9000埃～20000埃)，同时加厚顶层金属16的厚度，能更好地缓解压焊压力。开槽部分被填入了介质14或钝化层18，而钝化层18的材料质地较坚硬且致密，原本钝化层18是为了阻挡外界对于芯片的污染而铺设的保护层，现在由于开槽被填入了槽中，当钝化层18和金属层15、金属层16间的介质14合在一起时形成了类似于栓的结构，起到了一定的固定焊垫的作用，在压焊时，不易造成焊垫的松动，甚至脱落。