[发明专利]一种制作高压器件沟道的非外延方法有效
| 申请号： | 200610029994.5 | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101123191A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 周贯宇;钱文生;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 高压 器件 沟道 外延 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种制作高压器件沟道的方法，尤其涉及一种制作高压器件沟道的非外延方法。
背景技术
目前，40V以上的高压器件的沟道生产工艺，一般都采用以下工艺：
先在PMOS等一些需要N型埋层的区域注入锑作为N型埋层，然后再在上面外延生长N型衬底。
这种生产工艺流程复杂，成本昂贵。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种生产工艺简单，生产成本低廉的制作高压器件沟道的非外延方法。
为解决上述技术问题，本发明提供一种制作高压器件沟道的非外延方法，其包含如下步骤：用高能离子注入磷来做为N型埋层；用低能离子注入磷来做为N型沟道衬底；用高温长时间退火来实现准均匀掺杂N型沟道。
本发明由于采用了上述新工艺，简化了生产流程，从而起到了降低生产成本的效果。
具体实施方式
下面对本发明作进一步详细的说明。
本发明在40V以上的高压器件沟道的生产工艺中，相比较与现有工艺中的用锑注入作为N型埋层，本发明采用了高能离子注入磷来做为N型埋层。在N型埋层形成之后，相比较与现有工艺中的外延生长N型衬底，本发明采用中低能离子注入磷外加高温长时间退火来作为准均匀掺杂的N型沟道。
实施例1
a.先在硅片表面生产一层牺牲氧化层；
b.在PMOS等一些需要N型埋层的区域注入1500kev左右的磷来做为N型埋层；
c.在PMOS等一些需要均匀掺杂N型衬底的区域用注入150kev左右的磷，然后再进行1200℃左右约8小时的高温长时间退火来实现准均匀掺杂N型沟道。
实施例2
a.先在硅片表面生产一层牺牲氧化层；
b.在PMOS等一些需要N型埋层的区域注入1000kev左右的磷来做为N型埋层；
c.在PMOS等一些需要均匀掺杂N型衬底的区域用注入100kev左右的磷，然后再进行1200℃左右约8小时的高温长时间退火来实现准均匀掺杂N型沟道。
实施例3
a.先在硅片表面生产一层牺牲氧化层；
b.在PMOS等一些需要N型埋层的区域注入2000kev左右的磷来做为N型埋层；
c.在PMOS等一些需要均匀掺杂N型衬底的区域用注入200kev左右的磷，然后再进行1200℃左右约8小时的高温长时间退火来实现准均匀掺杂N型沟道。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
