[发明专利]一种制作高压器件沟道的非外延方法有效
| 申请号： | 200610029994.5 | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101123191A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 周贯宇;钱文生;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 高压 器件 沟道 外延 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作高压器件沟道的非外延方法，其特征在于，包含如下步骤：
a.用高能离子注入磷来做为N型埋层；
b.用低能离子注入磷来做为N型沟道衬底；
c.高温长时间退火来实现准均匀掺杂N型沟道。
2.根据权利要求1所述的制作高压器件沟道的非外延方法，其特征在于：所述高能离子注入磷为1000-2000kev。
3.根据权利要求1所述的制作高压器件沟道的非外延方法，其特征在于：所述低能离子注入磷为100-200kev。
4.根据权利要求1所述的制作高压器件沟道的非外延方法，其特征在于：所述高温为1100-1300℃。
5.根据权利要求1所述的制作高压器件沟道的非外延方法，其特征在于：所述长时间为5-10小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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