[发明专利]与非型快闪存储器选择栅的制造方法有效
| 申请号： | 200610029909.5 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123209A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 刘蓓;洪中山;隋建国;金贤在 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非型快 闪存 选择 制造 方法 | ||
1.一种与非型快闪存储器选择栅的制造方法，包括下列步骤：
在晶圆上沉积多晶硅导电层；
对多晶硅导电层进行抛光；
在多晶硅导电层表面涂覆光阻；
将光罩上的图形转移至光阻上，定义选择栅；
经过显影后，将限定选择栅位置的光阻留下，而选择栅位置以外的光阻则被去除；
对光阻去除部分的多晶硅导电层进行刻蚀；
去除选择栅位置的光阻；
对晶圆上的多晶硅导电层进行整体刻蚀；
形成选择栅。
2.根据权利要求1所述的与非型快闪存储器选择栅的制造方法，其特征在于：对光阻去除部分的多晶硅导电层进行刻蚀的深度大于等于选择栅厚度的1.5倍。
3.根据权利要求2所述的与非型快闪存储器选择栅的制造方法，其特征在于：形成选择栅的厚度为1000埃。
4.根据权利要求3所述的与非型快闪存储器选择栅的制造方法，其特征在于：对光阻去除部分的多晶硅导电层进行刻蚀的深度为1500埃。
5.根据权利要求4所述的与非型快闪存储器选择栅的制造方法，其特征在于：对光阻去除部分的多晶硅导电层进行刻蚀的深度小于等于光阻的厚度的1/3。
6.根据权利要求5所述的与非型快闪存储器选择栅的制造方法，其特征在于：光阻的厚度为5600埃。
7.根据权利要求1所述的与非型快闪存储器选择栅的制造方法，其特征在于：多晶硅导电层的厚度为4000埃。
8.根据权利要求7所述的与非型快闪存储器选择栅的制造方法，其特征在于：用化学气相沉积多晶硅导电层。
9.根据权利要求1所述的与非型快闪存储器选择栅的制造方法，其特征在于：采用干法蚀刻对多晶硅导电层进行刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
