[发明专利]防止高压器件电荷的方法及STI结构无效
| 申请号： | 200610029700.9 | 申请日： | 2006-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101118867A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陆涵蔚;李建文;李健;刘春玲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31;H01L27/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 高压 器件 电荷 方法 sti 结构 | ||
1.一种防止高压器件电荷的方法，包括如下步骤：
在STI刻蚀之后，首先，生长一层厚度为100～180埃的热氧化硅，温度为900～1000℃；其特征在于：
然后生长一层42～90埃的氮化硅，温度为700～750℃；接着生长一层100埃的氧化硅衬垫；再用HDP CVD淀积一层氧化硅填充层；最后采用CMP对STI平坦化。
2.根据权利要求1所述的防止高压器件电荷的方法，其特征在于：所述热氧化硅层的厚度为110埃，生长温度为920℃。
3.根据权利要求1所述的防止高压器件电荷的方法，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为70埃，生长温度为700℃。
4.根据权利要求1所述的防止高压器件电荷的方法，其特征在于：所述氧化硅衬垫层的生长温度为750℃。
5.根据权利要求1所述的防止高压器件电荷的方法，其特征在于：所述氧化硅填充层的厚度为7000埃。
6.一种采用如权利要求1至5中任何一项所述的方法制成的STI结构，具有一浅沟槽隔离结构，及形成在浅沟槽隔离结构内的热氧化硅层，其特征在于：还包括依次生长在该热氧化硅层上的氮化硅层和氧化硅衬垫层，和填充浅沟槽的介电材料；所述氧化硅衬垫层的厚度大于氮化硅衬垫层。
7.根据权利要求6所述的STI结构，其特征在于：所述热氧化硅层的厚度为110埃。
8.根据权利要求6所述的STI结构，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为70埃。
9.根据权利要求6所述的STI结构，其特征在于：所述氧化硅衬垫层的厚度为100埃。
10.根据权利要求6所述的STI结构，其特征在于：所述介电材料为氧化硅填充层，厚度为7000埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
