[发明专利]TEM样品最小有效厚度的检测方法

权利要求书

1.一种透射电镜样品最小有效厚度的检测方法，其特征在于，包括：

刻蚀片状样品，获得楔形基体；

获得楔形基体的透射电镜图像，并确定晶相、非晶相图像交界线位置；

刻蚀楔形基体，获得楔形样品；

将对应交界线位置的楔形样品厚度确定为样品的最小有效厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述楔形基体经由聚焦离子束刻蚀片状样品后形成。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述楔形基体为三棱柱体。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述楔形基体通过一底面与衬底底壁相连。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述楔形基体通过一底面与衬底底壁相连，通过侧底面与衬底侧壁相连。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述楔形基体通过一底面与衬底底壁相连，通过侧底边与衬底侧壁相连。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述楔形基体通过一底面与衬底底壁相连，通过侧底面及侧底边与衬底侧壁相连。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述楔形基体厚度等于或小于片状样品的厚度。

9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述楔形基体宽度等于或小于片状样品的宽度。

10.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述楔形基体高度等于或小于片状样品的高度。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：对所述楔形基体进行透射电镜分析之前，可预先在所述楔形基体上刻蚀参考标记。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：所述参考标记沿所述楔形基体厚度方向贯穿所述楔形基体。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述参考标记的高度小于或等于所述楔形基体的高度。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于：所述参考标记至少具有一标记平面，所述标记平面平行于楔形基体侧底面。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述楔形基体侧底面对应楔形基体透射电镜图像晶相边界线；楔形基体侧底边对应楔形基体透射电镜图像非晶相边界线。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于：对应参考标记标记平面处的楔形基体的透射电镜图像为标记线；所述标记线平行于楔形基体透射电镜图像晶相边界线或非晶相边界线。

17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述楔形基体透射电镜图像内晶相、非晶相图像交界线的具体位置通过所述交界线与标记线间的距离确定。

18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述楔形基体透射电镜图像内晶相、非晶相图像交界线的具体位置通过所述交界线与非晶相边界线间的距离确定。

19.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在制作楔形样品前，在楔形基体表面覆盖一保护层。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于：所述在TEM楔形基体表面覆盖保护层的步骤包括：

选取一光滑、平整的加工表面，在所述加工表面上滴加保护剂；

将所述楔形基体置于所述保护剂中；

固化所述保护剂，在所述楔形基体表面形成保护层；

刻蚀覆盖保护层的楔形基体，获得所需厚度的楔形样品。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于：所述保护剂材料为各种环氧树脂、合成树脂等材料中的一种或其组合。

22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于：所述楔形基体参考标记处充满保护剂。

23.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述楔形样品经由聚焦离子束刻蚀楔形基体后形成。

24.根据权利要求1或17所述的方法，其特征在于：所述楔形样品透射电镜图像中内晶相、非晶相图像交界线的具体位置通过所述交界线与标记线间的距离确定。