[发明专利]互补金属氧化物半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610028774.0 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101106107A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 杨勇胜;邢溯;肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种互补金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底中形成N阱和P阱；
在所述半导体衬底上形成氧化层；
对所述N阱和P阱进行第一阶段掺杂；
对所述N阱和P阱进行第二阶段掺杂；
在所述N阱和P阱区域形成栅极、源极和漏极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一阶段掺杂能量为55KeV～75KeV。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一阶段掺杂能量为90KeV～110KeV。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二阶段掺杂能量为55KeV～75KeV。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二阶段掺杂能量为90KeV～110KeV。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述掺杂物质为硼。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述半导体衬底为P型或N型衬底。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述半导体衬底上有外延层。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N阱和P阱的形成步骤为：
在所述半导体衬底上旋涂第一光致抗蚀剂并曝光显影形成N阱图案；
对所述具有N阱图案的衬底进行N型掺杂；
去除所述第一光致抗蚀剂；
对所述半导体衬底退火；
在所述半导体衬底上旋涂第二光致抗蚀剂并形成P阱图案；
对所述具有P阱图案的衬底进行P型掺杂；
去除所述第二光致抗蚀剂；
对所述半导体衬底进行退火。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：
在所述栅极、源极和漏极上形成互连层。
11.一种互补金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底中形成P阱；
在所述半导体衬底上形成氧化层；
对所述半导体衬底进行第一阶段掺杂；
对所述半导体衬底进行第二阶段掺杂；
在所述P阱区域和P阱区外半导体衬底上分别形成栅极、源极和漏极。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述第一阶段掺杂能量为55KeV～75KeV。
13.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述第一阶段掺杂能量为90KeV～110KeV。
14.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述第二阶段掺杂能量为55KeV～75KeV。
15.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述第二阶段掺杂能量为90KeV～110KeV。
16.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述掺杂物质为硼。
17.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述半导体衬底为N型衬底。
18.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述半导体衬底上有外延层。
19.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述P阱的形成步骤为：
在所述半导体衬底上旋涂光致抗蚀剂并形成P阱图案；
对所述具有P阱图案的衬底进行P型掺杂；
去除所述光致抗蚀剂；
对所述半导体衬底进行退火。
20.如权利要求11所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：
在所述栅极、源极和漏极上形成互连层。
21.一种互补金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底中形成N阱；
在所述半导体衬底上形成氧化层；
对所述半导体衬底进行第一阶段掺杂；
对所述半导体衬底进行第二阶段掺杂；
在所述N阱区域和N阱区外半导体衬底上分别形成栅极、源极和漏极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610028774.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
