[发明专利]互补金属氧化物半导体器件有效

专利信息
申请号: 200610028768.5 申请日: 2006-07-10
公开(公告)号: CN101106132A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 肖德元 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L27/092 分类号: H01L27/092
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 互补 金属 氧化物 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种互补金属氧化物半导体器件,其特征在于包括:

半导体衬底;

所述半导体衬底上的第一区域、第二区域;

所述第一区域和第二区域之间的隔离区;

在所述半导体衬底上贯穿所述第一区域、隔离区和第二区域的栅区;

在所述栅区两侧的第一区域、第二区域中分别形成的源区和漏区。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:所述栅区的宽度为2nm~200nm。

3.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:在所述第一区域和第二区域的源极和漏极之间分别形成有第一导电沟道和第二导电沟道。

4.如权利要求3所述的半导体器件,其特征在于:所述第一导电沟道和第二导电沟道的宽度分别为5nm~500nm。

5.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:所述栅区材料为金属或全金属硅化物。

6.如权利要求5所述的半导体器件,其特征在于:所述金属或全金属硅化物可以是钛、镍、钽、钨、氮化钽、氮化钨、氮化钛、硅化钛、硅化钨、硅化镍中的一种或其组合。

7.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:所述栅区与衬底之间形成有介质层。

8.如权利要求7所述的半导体器件,其特征在于:所述介质层材料包括二氧化硅、氮氧硅化合物、碳氧硅化合物中的一种。

9.如权利要求7或8所述的半导体器件,其特征在于:所述介质层的厚度为1nm~30nm。

10.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:所述隔离区可以是氧化硅。

11.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:在所述第一区域和第二区域上形成有绝缘层和互连层。

12.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:所述半导体衬底可以是N型衬底或P型衬底。

13.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:所述第一区域可以掺入N型杂质或P型杂质。

14.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:所述第二区域可以是N型掺杂或P型掺杂。

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