[发明专利]提高存储单元电容器面积的方法

权利要求书

1.提高DRAM存储单元电容器面积的方法，包括：

在硅衬底上形成DRAM的字线；

在硅衬底上形成浅沟隔离；

制作位线；

电介质覆盖，并形成存储电容的接触窗；

填充材料到接触窗；

交替形成两种电介质层；

第一次刻蚀形成电容器图案；

第二次刻蚀形成两种电介质层的不同刻蚀度；

进行电容器的后续制程。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的两种电介质层材料为掺杂硅玻璃和未掺杂硅玻璃。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的掺杂硅玻璃是硼磷硅玻璃(BPSG)。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的掺杂硅玻璃是磷硅玻璃(PSG)。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的掺杂硅玻璃是硼硅玻璃(BSG)。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的未掺杂硅玻璃是二氧化硅。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的二氧化硅是四乙氧基硅烷通过等离子增强化学气相淀积(PECVD)形成。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第一次刻蚀为干式刻蚀，采用C₄F₆或C₅F₈刻蚀气体。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第二次刻蚀为湿式刻蚀。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的湿式刻蚀是热SC1(H₂O₂+NH₃+H₂O)，即氨气、过氧化氢、去离子水湿式刻蚀或者氢氟酸/硫酸(HF/H₂SO₄)或者BHF。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述的热SC1湿式刻蚀在50～65℃进行。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述的热SC1湿式刻蚀在60℃进行。