[发明专利]生产导电或发光聚合物有机配合体的噻吩衍生物及制备方法

说明书

技术领域：

本发明涉及有机分子配合体在导电发光聚合物领域，特别涉及导电及发光聚合物预聚体7，7”-二(保护基)-5，5’：7’，5”-三(2，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪)及衍生物以及其制备方法。

技术背景：

聚噻吩，聚吡咯，聚苯，以及它们衍生物，由于其具有优良的光学及电学性能，被作为功能性有机材料进行广泛地开发和研究。近年来，为了提高共厄市分子的光电性能，研究人员将过渡金属与共厄高分子链相连，以提高其物理性能。绝大多数，这种共厄高分子—过渡金属体系均采用通过高分子的适当的支链与过渡金属相连的形式。但是，研究人员逐渐意识到，采用此种连接方法，将会引入巨大的位阻效应，即使是具有脂肪烃直链的共厄高分子，其位阻效应都足以使共厄分子链发生扭曲。众所周知，共厄高分子的导电性能由其分子共平面性决定的，位阻效应所产生的共厄高分子链的扭曲将使共厄高分子链不再在同一个平面上，从而，直接导致高分子共厄性下降，使其失去部分或全部的光电效应。

发明内容：

本发明的目的是为了克服以上不足，提供一种有机金属高分子能很好地将有机高分子和过渡金属的光学和电学性能集合在一起，使其既具有有机高分子的可加工性，又具有过渡金属的良好的导电性能和光学性能的生产导电聚合物或发光聚合物有机配合体的噻吩衍生物。本发明的另一个目的是为了提供噻吩衍生物的制备方法。

本发明的目的是这样来实现的：

本发明生产导电聚合物或发光聚合物有机配合体的噻吩衍生物，噻吩衍生物为2，5-二[7-(保护基团)-2，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪基-5]噻吩(DTPT)，结构如下：

其中P为保护基团，R为羟基。

本发明生产导电或发光聚合物有机配合体噻吩衍生物，为7，7”-二(保护基团)-5，5’：7’，5”-三(2，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪)(TTP)，结构如下：

其中P为保护基团，R为羟基。

7，7”-二(保护基团)-5，5’：7’，5”-三(2，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪)(TTP)和2，5-二[7-(保护基团)-2，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪基点]噻吩(DTPT)是生成有机金属聚合物的重要预产物。其良好的性能使聚精会神，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪及其衍生物的金属配合物具有良好的可加工性和光电性能。

上述的噻吩衍生物用于生产导电发光材料的金属有机物的过渡金属与分子或中N-S′-N″所形成的口袋结构直接相连。

上述的噻吩衍生物中的P为用以防止低分子物聚合，生成高分子的硅烷类保护基团，-Si(CH₃)₃，-Si(OR)₃，-Sit-bu(CH₃)₂，-Sit-bu(ph)₂，-CF₃，-SO₂Ph，-Tips中的一种。

上述的噻吩衍生物，当其羟基为甲基，保护基团为三甲基硅烷基即R＝CH₃，P＝TMS时，其结构参数如下：

噻吩衍生物为TTP：

分子量：632

核磁共振氢谱：¹HNMR(CDCL₃)δ2.78(s，6H)，2.77(s，6H)，2.64(s，6H)

紫外—可见光谱：UV/Vis(CH₂CL₂)：λmax(ε)＝272，340，625，799nm

噻吩衍生物为DTPT：

分子量：552

核磁共振氢谱：¹HNMR(CDCL₃)δ7.726(s，2H)，2.690(s，6H)，2.603(s，6H)，0.492(s，18H)

紫外—可见光谱：UV/Vis(CH₂CL₂)：λmax(ε)＝252，313，456nm

本发明噻吩衍生物的制备方法，主要分为如下两个基本步骤：

(1)在2，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪的5号位接上保护基团。

(2)利用Stille偶合反应生成三聚体TTP和DTPT。

上述的噻吩衍生物的制备方法，其具体制备方法如下：

第一步：在-80～-10℃低温下，惰性气体保护下，将2，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪溶于反应溶液，向该溶液中加入丁基锂，搅拌二十分钟以上；