[发明专利]生产导电或发光聚合物有机配合体的噻吩衍生物及制备方法

权利要求书

1、生产导电或发光聚合物有机配合体的噻吩衍生物，其特征在于噻吩衍生物为2，5-二[7-(保护基团)-2，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪基-5]噻吩，结构如下：

其中P为保护基团，R为羟基。

2、生产导电或发光聚合物有机配合体的噻吩衍生物，其特征在于噻吩衍生物为7，7”-二(保护基团)-5，5’：7’，5”-三(2，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪)，结构如下：

其中P为保护基团，R为羟基。

3、如权利要求1或2所述的噻吩衍生物，其特征在于噻吩衍生物用于生产导电发光材料的金属有机物的过渡金属与分子式中N-S′-N″所形成的口袋结构直接相连。

4、如权利要求1或2所述的噻吩衍生物，其特征在于P为用以防止低分子物聚合、生成高分子的硅烷类保护基团，-Si(CH₃)₃，-Si(OR)₃，-Sit-bu(CH₃)₂，-Sit-bu(ph)₂，-CF₃，-SO₂Ph，-Tips中的一种。

5、如权利要求1或2所述的噻吩衍生物，其特征在于当其羟基为甲基，保护基团为三甲基硅烷基即R＝CH₃，P＝TMS时，其结构参数如下：

噻吩衍生物为7，7”-二(保护基团)-5，5’：7’，5”-三(2，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪)：

分子量：632

核磁共振氢谱：¹HNMR(CDCL₃)δ2.78(s，6H)，2.77(s，6H)，2.64(s，6H)

紫外—可见光谱：UV/Vis(CH₂CL₂)：λmax(ε)＝272，340，625，799nm

噻吩衍生物为2，5-二[7-(保护基团)-2，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪基-5]噻吩：

分子量：552

核磁共振氢谱：¹HNMR(CDCL₃)δ7.726(s，2H)，2.690(s，6H)，2.603(s，6H)，0.492(s，18H)

紫外—可见光谱：UV/Vis(CH₂CL₂)：λmax(ε)＝252，313，456nm。

6、如权利要求1或2所述的噻吩衍生物的制备方法，主要分为如下两个基本步骤：

(1)在2，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪的5号位接上保护基团。

(2)利用Stille偶合反应生成三聚体7，7”-二(保护基团)-5，5’：7’，5”-三(2，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪)和2，5-二[7-(保护基团)-2，3-二羟基噻吩[3，4-b]并吡嗪基-5]噻吩。