[发明专利]一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法无效

专利信息
申请号: 200610015536.6 申请日: 2006-08-31
公开(公告)号: CN101135045A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 沈志刚;俞晓正;徐政;裴小科;范洪涛;李勇 申请(专利权)人: 国家纳米技术与工程研究院;北京航空航天大学;深圳微纳超细材料有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54
代理公司: 国嘉律师事务所 代理人: 卢枫
地址: 300457天*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 sic 颗粒 表面 磁控溅射 镀铜 方法
【权利要求书】:

1.一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法,其特征在于它包括以下步骤:

(1)备微颗粒磁控溅射镀膜设备;

(2)打开真空室,把装入SiC颗粒的样品皿安装在样品台上;

(3)关闭真空室,打开机械泵抽真空至0.1~10Pa;

(4)打开分子泵抽真空至5.0×10-4Pa~5.0×10-3

(5)打开流量计,向真空室内充惰性气体至0.2Pa~10Pa;

(6)打开超声波和样品架摆动装置,超声波振动功率为0w~300w,样品台的摆动频率为0次/分钟~100次/分钟;

(7)打开样品加热器,加热温度范围:20℃~350℃;

(8)打开磁控溅射靶电源,调节功率至10w~5000w,开始溅射镀膜;

(9)镀膜时间范围为5分钟~300分钟,时间到后关闭溅射电源;

(10)按顺序关闭流量计、分子泵和机械泵,再打开放针阀缓慢向真空室内放气,当真空室内压力与大气压力平衡后,打开真空室,取出样品,镀膜结束。

2.根据权利要求1所述的一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法,其特征在于所述的步骤(2)中的SiC颗粒为微颗粒,平均粒径约在0.1~500μm的范围内。

3.根据权利要求1所述的一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法,其特征在于溅射靶材是直径为100mm、厚度为5mm、纯度为99.999%的表面平整光洁,内部为无疏松、缩孔的铜金属材料。

4.根据权利要求1所述的一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法,其特征在于所述的步骤(5)中的惰性气体是氖气、氩气、氪气和氙气。

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