[发明专利]一种基于铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩模板及其制备方法和应用有效
申请号: | 200610015041.3 | 申请日: | 2006-07-31 |
公开(公告)号: | CN101117726A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 王森 | 申请(专利权)人: | 国家纳米技术与工程研究院 |
主分类号: | C25D11/04 | 分类号: | C25D11/04 |
代理公司: | 国嘉律师事务所 | 代理人: | 卢枫 |
地址: | 300457天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 阳极 氧化 纳米 模板 及其 制备 方法 应用 | ||
(一)技术领域:
本发明属于模板印刷术领域。特别涉及到一种基于铝阳极氧化膜 的复型纳米孔掩模板及其制备方法,这种掩模板可结合各种刻蚀技术 或真空薄膜沉积技术,用于周期性纳米结构的制备及多孔氧化铝图形 的复制转移。
(二)背景技术:
多孔铝阳极氧化膜为一种典型的自组装纳米孔结构材料,其孔道 的尺度可由电解条件控制,现可得到的铝阳极氧化膜孔径从10到 200nm,长径比达1000,孔密度从109到1012cm-2。在适当的阳极氧化条 件下,铝阳极氧化膜孔道具有有序的六角排列。近年来,铝阳极氧化 膜因具有垂直于表面的纳米孔道阵列,而在纳米材料科学中得到了重 要应用,主要被用作制备纳米结构的模板,例如碳纳米管、纳米线、 纳米点等。
许多工作中,利用超薄(厚度一般小于300nm)、孔道贯通的铝阳 极氧化膜做掩模板,结合离子刻蚀技术或真空薄膜沉积技术,来实现 铝阳极氧化膜模板图形的复制转移或纳米点阵列的制备。但是,制备 这种超薄的铝阳极氧化膜掩模板的工艺较为复杂。首先在阳极氧化完 成后需要将氧化膜和铝基底分离,然后进行通孔(去除阻挡层)处理。 而这种超薄的氧化铝膜机械强度非常差,因而造成了许多后处理和操 作上的困难。
(三)发明内容:
本发明设计了一种基于铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩模板及其制 备方法和应用,此复型掩模板可选择多种材料以满足不同需要,工艺 简单,在许多场合下可取代较多使用的超薄铝阳极氧化膜掩模板。
本发明的技术方案:一种基于多孔铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩 模板,其特征在于它具有与铝阳极氧化膜相同密度及排列的纳米孔阵 列,孔密度范围在109~1012cm-2。
上述基于多孔铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩模板制备工艺,其步 骤如下:
(1)采用由二次氧化法制得的孔道有序铝阳极氧化膜;
(2)利用真空镀膜技术在氧化铝膜表面沉积薄膜;
(3)将氧化铝衬底用选择性化学腐蚀法去除,得到分离的纳 米孔掩模板。
上述所述的步骤(2)中沉积薄膜的材料选择可蒸发或溅射的材料, 可蒸发或溅射的材料有金属材料和非金属材料,金属材料包括镍、铁、 金或铂,非金属材料包括碳或硅。
上述所述的步骤(2)中沉积薄膜材料选择金属材料时,则镀膜时 或镀膜后可对样品进行加热以增加薄膜的机械强度;所述的加热条件 为:温度200℃~400℃,时间0.5~2小时。
上述所述的步骤(2)中沉积薄膜可选用真空溅射或蒸发沉积技术, 包括离子束溅射、磁控溅射、真空热蒸发、激光蒸发或电子束蒸发。
上述所述的步骤(2)中的沉积薄膜过程,氧化铝膜表面应正对溅 射靶或蒸发源,样品对溅射靶或蒸发源面积形成的张角不超过15°。
另外,沉积室的真空度要优于5×10-2Pa。这样可使沉积原子的轨迹大都 垂直于样品表面,以尽量减少铝阳极氧化膜孔壁上的材料沉积。
上述所述的步骤(2)中的沉积薄膜过程,薄膜沉积厚度不超过氧 化铝膜孔径为宜。
上述所述的复型纳米孔掩模板与离子刻蚀或真空薄膜沉积技术相 结合,用于实现目标纳米阵列的制备及多孔氧化铝图形的复制转移。
本发明的优越性和技术效果在于:与传统使用的超薄铝阳极氧化 膜掩模板相比,这种复型掩模板更具有显著的有益效果,即1、制备工 艺更为简单;2、可选用多种可蒸发或溅射的材料,应用范围更为广泛; 3、可通过退火等后处理工艺提高其柔韧性或机械强度,降低了操作难 度,更容易产品化。
(四)附图说明:
附图1为本发明所涉一种基于铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩模板 及其制备方法和应用中的复型纳米孔掩模板结构模型示意图。
附图2为本发明所涉一种基于铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩模板 及其制备方法和应用中制备流程示意图(图2a为初始的多孔铝阳极氧 化膜,用常用的二次阳极氧化法制得;图2b为利用真空镀膜技术在氧 化铝膜表面沉积薄膜;图2c为最后将氧化铝衬底用稀的酸性或碱性溶 液腐蚀去除,得到分离的复型纳米孔掩模板)。
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