[发明专利]一种基于铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩模板及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种基于多孔铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩模板，其特征在于它具 有与铝阳极氧化膜相同密度及排列的纳米孔阵列，孔密度范围在10⁹～10¹²cm^-2；该复型纳米孔掩模板是用由二次氧化法制得的孔道有序铝阳极氧化 膜；再利用真空镀膜技术在氧化铝膜表面沉积薄膜，该沉积薄膜过程中， 氧化铝膜表面应正对溅射靶或蒸发源，样品对溅射靶或蒸发源面积形成的 张角不超过15°，沉积室的真空度要优于5×10^-2Pa；最后将氧化铝衬底用 选择性化学腐蚀法去除，得到分离的纳米孔掩模板。

2.一种根据权利要求1所述的基于多孔铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩 模板制备工艺，其步骤如下：

(1)用由二次氧化法制得的孔道有序铝阳极氧化膜；

(2)利用真空镀膜技术在氧化铝膜表面沉积薄膜，该沉积薄膜过程中， 氧化铝膜表面应正对溅射靶或蒸发源，样品对溅射靶或蒸发源面积形成的 张角不超过15°，沉积室的真空度要优于5×10^-2Pa；

(3)将氧化铝衬底用选择性化学腐蚀法去除，得到分离的纳米孔 掩模板。

3.根据权利要求2所述的一种基于多孔铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩 模板制备工艺，其特征在于所述的步骤(2)中沉积薄膜的材料选择可蒸发 或溅射的材料。

4.根据权利要求3所述的一种基于多孔铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩 模板制备工艺，其特征在于所述的可蒸发或溅射的材料有金属材料和非金 属材料。

5.根据权利要求4所述的一种基于多孔铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩 模板制备工艺，其特征在于所述的可蒸发或溅射材料中金属材料有镍、铁、 金或铂，非金属材料有碳或硅。

6.根据权利要求4所述的一种基于多孔铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩 模板制备工艺，其特征在于所述的步骤(2)中沉积薄膜材料选择金属材料， 则镀膜时或镀膜后对样品进行加热以增加薄膜的机械强度；所述的加热条 件为：温度200℃～400℃，时间0.5～2小时。

7.根据权利要求2所述的一种基于多孔铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩 模板制备工艺，其特征在于所述的步骤(2)中沉积薄膜选用真空溅射或蒸 发沉积方法。

8.根据权利要求7所述的一种基于多孔铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩 模板制备工艺，其特征在于所述的真空溅射或蒸发沉积方法有离子束溅射、 磁控溅射、真空热蒸发、激光蒸发或电子束蒸发。

9.根据权利要求2所述的一种基于多孔铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩 模板制备工艺，其特征在于所述的步骤(2)中的沉积薄膜过程，薄膜沉积 厚度不超过氧化铝膜孔径为宜。

10.一种根据权利要求1所述的基于多孔铝阳极氧化膜的复型纳米孔 掩模板的应用，其特征在于所述的复型纳米孔掩模板与离子刻蚀或真空薄 膜沉积技术相结合，用于实现目标纳米阵列的制备及多孔氧化铝图形的复 制转移。