[发明专利]非易失内存单元及制造方法

权利要求书

1.一种制造具一半导体本体或半导体层的非易失内存单元之方法，其中该非易失内存单元具有以下结构：

经埋藏线路，其置于该半导体本体或半导体层表面，

一源极区域及一漏极区域，各由该位线路之一连接，

施用于至少在该源极区域及该漏极区域间的该表面之栅介电体，

一栅电极被放置于该栅介电体，及

一字符线路电连接至该栅电极，该字符线路横越该位线路及与该位线路电绝缘，

该方法包括下列步骤：

在第一步骤提供一具至少一半导体层的半导体本体或基材，

在第二步骤沉积一包括提供用以捕获电荷载体的储存层之栅介电体，

在第三步骤沉积一提供用做该栅电极的层，

在第四步骤形成在该层的开孔及形成在该开孔内的侧壁的间隔物，

在第五步骤经由该开孔植入掺杂剂以形成该经埋藏位线路，

在第六步骤施用至少一电连接至该栅电极的字符线路层，及施用一硬屏蔽层于该至少一字符线路层的顶部，该硬屏蔽层被使用以架构该栅电极及该至少一字符线路层以形成字符线路堆栈，

在第七步骤在该位线路间该字符线路堆栈的两侧不等向性地向下蚀刻进入该半导体本体或半导体层至低于该源极区域及该漏极区域的位准以形成自行对准于该字符线路堆栈的蚀刻孔洞，及

在第八步骤以电绝缘材料填充该蚀刻孔洞。

2.根据权利要求1的方法，另外包括：

在不等向性蚀刻以形成该蚀刻孔洞后，接着为等向性蚀刻进入该蚀刻孔洞以在该栅电极下方延伸及距离该栅电极一段距离形成底切。

3.根据权利要求2的方法，另外包括：

执行等向性蚀刻以使该底切形成横越该字符线路延伸的连续开孔。

4.根据权利要求2或3的方法，另外包括：

在不等向性蚀刻以形成该蚀刻孔洞后，施用一覆盖至该字符线路堆栈的侧边及该蚀刻孔洞，以当等向性蚀刻时保护该侧壁。

5.根据权利要求1至3中任一的方法，其中该储存层以三层氧化物-氮化物-氧化物层被施用。

6.一种制造非易失内存单元之方法，其包括步骤：

提供一半导体本体或半导体层，

施用一介电体材料的储存层于该半导体本体或半导体层的表面，

施用一被提供用做栅电极的层于该储存层上，

形成开孔于该层内及经由该开孔植入掺杂剂以形成被提供用做经埋藏位线路及用做源极及漏极的经掺杂区域，

施用位线路堆栈于该经埋藏位线路，

形成一横越该位线路的字符线路，该字符线路电连接至该栅电极及与该位线路电绝缘，且结构化该栅电极，

藉由使用该字符线路为屏蔽，执行一不等向性蚀刻方法进入在该字符线路两侧的该位线路间的该半导体本体或半导体层，由此蚀刻孔洞形成，及

沉积一电绝缘材料做为该蚀刻孔洞的填充物。

7.根据权利要求第6项的方法，另外包括：

在该不等向性蚀刻方法后，执行后续的等向性蚀刻方法进入该蚀刻孔洞，由此一底切以在提供用做沟道区域的半导体区域下方延伸的方式被形成，及

沉积一电绝缘材料做为该底切及该蚀刻孔洞的填充物。

8.根据权利要求6的方法，另外包括：

执行等向性蚀刻以使该底切形成横越该字符线路延伸的连续开孔。

9.根据权利要求6的方法，另外包括：

在不等向性蚀刻以形成该蚀刻孔洞后，施用一覆盖至该字符线路堆栈的侧边及该蚀刻孔洞，以当等向性蚀刻时保护该侧壁。

10.根据权利要求6的方法，其中该储存层以三层氧化物-氮化物-氧化物层被施用。