[发明专利]对位方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种在通过一次照射曝光形成于衬底上的第一图案上重叠通过多次照射曝光所形成的多个第二图案时的对位方法。

背景技术

为了形成半导体器件等的微细图案，在曝光工艺中使用着衰减型移相掩模(half-tone phase-shifting mask)、交替型移相掩模(Levenson phase-shiftingmask)等移相掩模。采用移相掩模的曝光方法能够提高曝光宽容度以及焦深等，从而能够有效地形成微细图案。然而，由于移相掩模的价格昂贵，因此近年来掩模(Reticle：光掩模)成本的增加成为一个很大的问题。

作为一个解决掩模成本增加问题的对策，提出了采用在一张光掩模上配置有多层图案的多层光掩模(下面称之为MLR(Multi-Layer Reticle))的方法。

图19是示出了在一张光掩模上配置有两层图案的MLR的俯视图。如该图所示，在一张光掩模100上，配置有例如具有第一配线层图案的照射(shot)区域102和例如具有第二配线层图案的照射曝光区域104。

MLR虽具有能够降低掩模成本的长处，但由于每一层的曝光区域变小，因此具有使曝光设备的生产能力下降的短处。因此，MLR限于使用在采用移相掩模、临界层的掩模等价格昂贵的掩模的层上。

另外，在掩模的曝光工艺中，通常，对于采用光掩模的每一层的掩模工艺不同，例如，采用正型抗蚀剂，或者采用负型抗蚀剂。另外，掩模的种类也不同，例如，采用二元掩模(binary mask)，或采用移相掩模。因此，很难将掩模工艺或掩模种类不同的层的图案配置在同一张光掩模上。

如上所述，MLR是限定了所使用的层的光掩模。因此，在实际的制造工序中，还需要采用MLR之外的光掩模(下面，称之为单层光掩模(SLR))来进行曝光。即，在实际的制造工序中，必须进行采用了SLR的曝光(下面，称之为SLR曝光)和采用了MLR(下面，称之为MLR曝光)的曝光的混合匹配(mix-and-match)曝光。

图20(a)是示出了SLR曝光的照射布局(shot layout)的俯视图，图20(b)是示出了在SLR曝光的照射曝光区域上所重叠的MLR曝光的照射布局的俯视图。在图20所示的情况下，需要在SLR曝光的一次照射曝光区域106上重叠MLR曝光的两次照射曝光区域108。

专利文献：JP特开平8-236433号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在现有的SLR曝光和MLR曝光的混合匹配曝光中，有时很难在SLR曝光的一次照射曝光区域上以高精度重叠MLR曝光的多次照射曝光区域。

本发明的目的在于，提供一种在SLR曝光的一次照射曝光区域上能够以高精度重叠MLR曝光的多次照射曝光区域的对位方法。

用于解决问题的方法

若根据本发明的一个观点，可提供一种对位方法，用于在形成有多个具有多个基本区域的第一图案的基板上，通过对应于各个上述基本区域的多次照射曝光来形成第二图案时进行对位，其中，上述第一图案形成在一次照射曝光区域内，上述对位方法的特征在于，针对形成于上述基板上的多个上述第一图案，计测调整标记的位置而作为第一位置信息，基于所计测的上述第一位置信息，求出多个上述第一图案对于以上述基板的中心为原点的第一坐标系的相对位置，从而计算出多个上述第一图案相对于上述第一坐标系的位置偏移量，从上述第一位置信息减去上述第一位置偏移量，从而计算出第二位置信息，基于上述第二位置信息，求出多个上述基本区域对于以上述第一图案的照射曝光区域的中心为原点的第二坐标系的相对位置，从而计算出上述第一图案相对于上述第二坐标系的第二位置偏移量，从上述第一位置信息减去上述第一位置偏移量以及上述第二位置偏移量，从而计算出第三位置信息，基于上述第三位置信息，计算出上述第一图案对于以上述第二图案的照射曝光区域的中心为原点的第三坐标系的第三位置偏移量，基于上述第一至第三位置偏移量，在曝光上述第二图案时相对上述第一图案进行定位。