[发明专利]对位方法有效
| 申请号: | 200580051119.0 | 申请日: | 2005-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN101228615A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
| 发明(设计)人: | 八尾辉芳 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F9/00 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张龙哺 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 对位 方法 | ||
1.一种对位方法,用于在形成有多个具有多个基本区域的第一图案的基板上,通过对应于各个上述基本区域的多次照射曝光来形成第二图案时进行对位,其中,上述第一图案形成在一次照射曝光区域内,上述对位方法的特征在于,
针对形成于上述基板上的多个上述第一图案,计测调整标记的位置而作为第一位置信息,
基于所计测的上述第一位置信息,求出多个上述第一图案对于以上述基板的中心为原点的第一坐标系的相对位置,从而计算出多个上述第一图案相对于上述第一坐标系的位置偏移量,
从上述第一位置信息减去上述第一位置偏移量,从而计算出第二位置信息,
基于上述第二位置信息,求出多个上述基本区域对于以上述第一图案的照射曝光区域的中心为原点的第二坐标系的相对位置,从而计算出上述第一图案相对于上述第二坐标系的第二位置偏移量,
从上述第一位置信息减去上述第一位置偏移量以及上述第二位置偏移量,从而计算出第三位置信息,
基于上述第三位置信息,计算出上述第一图案对于以上述第二图案的照射曝光区域的中心为原点的第三坐标系的第三位置偏移量,
基于上述第一至第三位置偏移量,在曝光上述第二图案时相对上述第一图案进行定位。
2.如权利要求1所述的对位方法,其特征在于,在上述第二图案的一次照射曝光区域内至少配置有两个以上的上述调整标记。
3.一种对位方法,其特征在于,
针对形成有多个具有多个基本区域的第一图案、且通过对应于各个上述基本区域的多次照射曝光形成有第二图案的基板,计测位置偏移检查标记,从而计测上述第二图案相对于上述第一图案的位置偏移而作为第一位置偏移信息,其中,上述第一图案形成在一次照射曝光区域内,
基于所计测的上述第一位置偏移信息,求出多个上述第二图案对于以上述基板的中心为原点的第一坐标系的相对位置,从而计算出多个上述第二图案相对于上述第一坐标系的位置偏移量,
从上述第一位置偏移信息减去上述第一位置偏移量,从而计算出第二位置偏移信息,
基于上述第二位置偏移信息,求出多个上述第二图案对于以上述第一图案的照射曝光区域的中心为原点的第二坐标系的相对位置,从而计算出上述第二图案相对于上述第二坐标系的第二位置偏移量,
从上述第一位置偏移信息减去上述第一位置偏移量以及上述第二位置偏移量,从而计算出第三位置偏移信息,
基于上述第三位置偏移信息,计算出上述第二图案对于以上述第二图案的照射曝光区域的中心为原点的第三坐标系的第三位置偏移量,
基于上述第一至第三位置偏移量,在形成于其他基板上的上述第一图案上曝光上述第二图案时相对上述第一图案进行定位。
4.如权利要求3所述的对位方法,其特征在于,在上述第二图案的一次照射曝光区域内至少配置有两个以上的上述位置偏移检查标记。
5.如权利要求1~4中任一项所述的对位方法,其特征在于,在上述第一至第三位置偏移量的计算中,分别计算位移、倍率以及旋转。
6.如权利要求1~5中任一项所述的对位方法,其特征在于,
上述第一图案是栅电极所形成的栅极层的图案,
上述第二图案是接触孔所形成的孔层的图案或布线层所形成的线层的图案。
7.如权利要求1~5中任一项所述的对位方法,其特征在于,
上述第二图案是通过两次曝光形成的图案,其中,两次曝光是指两次进行曝光而形成微细图案的方法,
在进行上述两次曝光中的第一次曝光以及第二次曝光时,基于上述第一至第三位置偏移量,相对上述第一图案进行定位。
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