[发明专利]半导体电路基板和半导体电路

权利要求书

1.一种半导体电路基板，其具有控制基板(1)和连接在所述控制基板上的半导体电路(2)，

所述半导体电路具有基板(21)、安装在所述基板上的集成电路组(22)、和安装在所述基板上的噪声对策单元(23)，

所述集成电路组构成为包括成为噪声发生源的集成电路(221)，并且从所述控制基板分离。

2.根据权利要求1所述的半导体电路基板，所述集成电路组(22)和所述控制基板(1)通过所述噪声对策单元(23)相连接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体电路基板，所述基板(21)是多层层叠基板，其包括：安装有所述集成电路组(22)的第1层基板(31)；以及多个第2层基板(32、33)，其相对于所述第1层基板为内层，且形成有被提供了彼此不同的固定电位的图形。

4.根据权利要求3所述的半导体电路基板，所述噪声对策单元(23)使从所述集成电路组(22)产生的噪声的高频成分衰减。

5.根据权利要求4所述的半导体电路基板，所述噪声对策单元(23)是滤波器。

6.根据权利要求3所述的半导体电路基板，所述噪声对策单元(23)是滤波器。

7.根据权利要求1或2所述的半导体电路基板，所述噪声对策单元(23)使从所述集成电路组(22)产生的噪声的高频成分衰减。

8.根据权利要求7所述的半导体电路基板，所述噪声对策单元(23)是滤波器。

9.根据权利要求1或2所述的半导体电路基板，所述噪声对策单元(23)是滤波器。

10.根据权利要求1所述的半导体电路基板，所述半导体电路还具有安装在所述基板(21)上的第2噪声对策单元(231)，

所述基板(21)是多层层叠基板，其包括：安装有所述集成电路组(22)的第1层基板(31)；以及多个第2层基板(32、33)，其相对于所述第1层基板为内层，且形成有被提供了彼此不同的固定电位的图形，

所述集成电路组和被提供了所述固定电位的所述图形通过所述第2噪声对策单元相连接。

11.根据权利要求10所述的半导体电路基板，所述噪声对策单元(23)与被提供了所述固定电位的所述图形连接。

12.根据权利要求10或11所述的半导体电路基板，所述噪声对策单元(23)和所述第2噪声对策单元(231)使从所述集成电路组(22)产生的噪声的高频成分衰减。

13.根据权利要求12所述的半导体电路基板，所述噪声对策单元(23)和所述第2噪声对策单元(231)是滤波器。

14.根据权利要求10或11所述的半导体电路基板，所述噪声对策单元(23)和所述第2噪声对策单元(231)是滤波器。

15.根据权利要求1、2、10和11中任一项所述的半导体电路基板，所述集成电路(221)包括快速开关元件。

16.一种半导体电路，该电路是可连接在控制基板(1)上的半导体电路(2)，具有基板(21)、安装在所述基板上的集成电路组(22)、和安装在所述基板上的噪声对策单元(23)，

所述集成电路组构成为包括成为噪声发生源的集成电路(221)，并且从所述控制基板分离。

17.根据权利要求16所述的半导体电路，所述集成电路组(22)和所述控制基板(1)可以通过所述噪声对策单元(23)相连接。

18.根据权利要求16或17所述的半导体电路，所述基板(21)是多层层叠基板，其包括：安装有所述集成电路组(22)的第1层基板(31)；以及多个第2层基板(32、33)，其相对于所述第1层基板为内层，且形成有被提供了彼此不同的固定电位的图形。

19.根据权利要求18所述的半导体电路，所述噪声对策单元(23)使从所述集成电路组(22)产生的噪声的高频成分衰减。

20.根据权利要求19所述的半导体电路，所述噪声对策单元(23)是滤波器。

21.根据权利要求18所述的半导体电路，所述噪声对策单元(23)是滤波器。