[发明专利]寿命提高的有机电气或电子元件无效
申请号: | 200580047783.8 | 申请日: | 2005-12-22 |
公开(公告)号: | CN101116196A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | C·奥特曼;J·波梅雷恩;K·邦拉德;T·弗兰克;M·博德斯海姆 | 申请(专利权)人: | 肖特股份公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 刘明海 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 寿命 提高 有机 电气 电子元件 | ||
1.具有至少一个有机功能层的有机电气或电子元件,其特征为, 用于单线态氧的特别是有机的(e-v)猝灭物质。
2.根据权利要求1的有机电气或电子元件,其特征为,(e-v) 猝灭物质的分子量小于528g/mol,优选小于374g/mol,特别优选小于 178g/mol。
3.根据权利要求1或2的有机电气或电子元件,其特征为,(e-v) 猝灭物质包含具有至少一个带有末端振子的官能团的分子,所述末端 振子具有的基础振动或伸缩振动谐振的振动能等于O2(a1Δg)和O2(X3∑-g) 态分子氧的能差或其振动能与该能差偏离最多37%,优选最多10%。
4.根据上述权利要求中任一项的有机电气或电子元件,其特征 为,(e-v)猝灭物质包含具有至少一个带有末端振子的官能团的分子, 所述末端振子具有的n≤3的伸缩振动谐振的振动能等于O2(a1Δg)和 O2(X3∑-g)-态分子氧的能差或其振动能与该能差偏离最多37%,优选最 多10%。
5.根据上述权利要求中至少一项的有机电气或电子元件,其特 征为,(e-v)猝灭物质包含具有至少一个羟基的有机分子。
6.根据上述权利要求中至少一项的有机电气或电子元件,其特 征为,(e-v)猝灭物质包含具有至少一个NH-或NH2-基的分子。
7.根据上述权利要求中至少一项的有机电气或电子元件,其特 征为,(e-v)猝灭物质包括具有羟基或NH-或NH2-基的聚合物。
8.根据上述权利要求中至少一项的有机电气或电子元件,其特 征为,(e-v)猝灭物质包含一元或多元醇或碳水化合物。
9.根据上述权利要求中至少一项的有机电气或电子元件,其特 征为,(e-v)猝灭物质存在于有机功能层中。
10.根据上述权利要求中至少一项的有机电气或电子元件,其特 征为,(e-v)猝灭物质存在于包封有至少一个有机功能层的覆盖层内。
11.根据上述权利要求中至少一项的有机电气或电子元件,其特 征为,具有(e-v)猝灭物质的阻挡层。
12.根据上述权利要求中任一项的有机电气或电子元件,其特征 为,具有由(e-v)猝灭物质组成或包含该(e-v)猝灭物质的物质的 粘合体。
13.根据上述权利要求中任一项的有机电气或电子元件,其特征 为,至少在表面包含(e-v)猝灭物质的颗粒、特别是纳米颗粒。
14.根据上述权利要求中至少一项的有机电气或电子元件,其特 征为,(e-v)猝灭物质分子的HOMO-和LUMO-态具有比有机功能层的 活性分子的HOMO-和LUMO-态高的能级间距。
15.根据上述权利要求中至少一项的有机电气或电子元件,其特 征为,(e-v)猝灭物质包括用于有机功能层的膜或基材。
16.根据权利要求15的有机电气或电子元件,其特征为膜或基材 与所述至少一个有机功能层接触。
17.根据上述权利要求中至少一项的有机电气或电子元件,其特 征为,(e-v)猝灭物质以最高为有机功能层的活性物质的5重量%, 优选最高为活性物质的1重量%的浓度存在于有机功能层中。
18.根据上述权利要求中任一项的有机电气或电子元件,其特征 为,用于水或氧气的吸气材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择