[发明专利]实现可切换的I/O去耦电容功能的局部ESD电轨夹无效
| 申请号: | 200580046363.8 | 申请日: | 2005-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN101099279A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
| 发明(设计)人: | J·C·史密斯 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00;H02H3/22 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
| 地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 实现 切换 电容 功能 局部 esd 电轨夹 | ||
1.一种向电路提供静电放电保护的方法包括步骤:
向所述电路的一个或更多个输入/输出节点提供可选择的电容性去耦通道;
向所述电路的所述一个或更多个输入/输出节点提供可选择的静电放电分流通道;
响应未检测到静电放电事件而选择一个或更多个去耦通道,从而提供去耦;以及
响应检测到静电放电事件而选择一个或更多个分流通道,从而保护所述电路免受静电放电。
2.一种用于保护微电子器件免受静电放电事件的静电放电保护电路,所述电路包括:
用于检测静电放电事件的装置;
保护装置,其被配置以动态地在去耦电容器模式和静电放电保护模式之间切换;
控制装置,其被可操作地耦合到所述检测装置和保护装置;
所述电路由此被配置成默认情况下以去耦电容器模式工作,并且响应在静电放电事件期间的所述检测装置的信号而以静电放电模式工作。
3.一种根据权利要求2所述的保护电路,进一步包括:
静电放电装置,其可操作地耦合在第一极性供给节点、反极性供给节点和控制电路之间;
控制电路,其被可操作地耦合在所述第一极性供给节点、所述反极性供给节点和控制节点之间;
由此所述控制节点可用于响应静电放电事件而将所述保护电路从去耦模式切换到静电放电模式。
4.一种电路,包括:
多个静电放电响应分支电路,每个静电放电响应分支电路进一步包括:
控制电路,其具有第一极性供给节点和反极性供给节点;
静电放电装置,其被耦合在所述第一极性供给节点和所述反极性供给节点和所述控制电路之间;以及
控制节点,其被可操作地耦合到所述控制电路,凭此所述控制节点可被用于响应静电放电事件而将所述静电放电响应分支电路从去耦模式切换到静电放电模式;
由此所述多个静电放电响应分支电路被配置成作为并联的局部电夹工作。
5.根据权利要求3或4所述的电路,其中所述控制电路进一步包括第一CMOS晶体管和第二CMOS晶体管。
6.根据权利要求3、4或5所述的电路,其中所述静电放电装置进一步包括CMOS晶体管。
7.根据权利要求3或4所述的电路,其中所述控制电路进一步包括第一PMOS晶体管和第二NMOS晶体管。
8.根据权利要求3、4或7所述的电路,其中所述静电放电装置进一步包括PMOS晶体管。
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