[发明专利]包括统一占用面积的半导体管芯封装及其制造方法无效
| 申请号: | 200580046203.3 | 申请日: | 2005-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN101099238A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
| 发明(设计)人: | R·约史;V·耶埃;S·马丁;J·A·诺奎尔;C·汤普茨;R·马纳塔德 | 申请(专利权)人: | 费查尔德半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李玲 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 统一 占用 面积 半导体 管芯 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体管芯封装,包括:
半导体管芯,具有第一表面和第二表面;
引线框结构,其中所述半导体管芯耦合至所述引线框结构;
模制材料,围绕所述半导体管芯的至少一部分和所述引线框结构的至少一 部分形成,并且具有一外表面,其中所述半导体管芯的第一表面与所述模制材 料的外表面的至少一部分基本平齐;以及
可焊层,在所述模制材料的外表面的至少一部分上。
2.如权利要求1所述的半导体管芯封装,其特征在于,所述可焊层是使 用溅射、蒸镀、丝网印刷、焊盘印刷、喷镀或其任意组合而形成的。
3.如权利要求1所述的半导体管芯封装,其特征在于,所述可焊层包括 导电墨水层。
4.如权利要求1所述的半导体管芯封装,其特征在于,所述半导体管芯 包括垂直功率晶体管。
5.如权利要求1所述的半导体管芯封装,其特征在于,所述半导体管芯 包括在所述第一表面处的漏极区以及在所述第二表面处的源极和栅极区。
6.如权利要求1所述的半导体管芯封装,其特征在于,所述引线框结构 包括从所述模制材料中向外横向伸出的多根引线。
7.如权利要求1所述的半导体管芯封装,其特征在于,所述可焊层包括 金属层。
8.如权利要求1所述的半导体管芯封装,其特征在于,所述可焊层具有 小于约100微米的厚度。
9.如权利要求1所述的半导体管芯封装,其特征在于,所述可焊层包括 多个导电层。
10.一种电气组件,包括:
如权利要求1所述的半导体管芯封装;以及
电路板,其中所述半导体管芯封装被安装在所述电路板上。
11.如权利要求10所述的电气组件,其特征在于,还包括在所述半导体 管芯封装和所述电路板之间的焊料。
12.一种方法,包括:
提供具有第一表面和第二表面的半导体管芯;
将所述半导体管芯附连至引线框结构,其中所述半导体管芯与所述引线框 结构相耦合;
围绕所述半导体管芯的至少一部分和所述引线框结构的至少一部分形成 模制材料,其中所形成的模制材料包括一外表面,并且其中所述半导体管芯的 第一表面与所述模制材料的外表面的至少一部分基本平齐;以及
在所述模制材料的外表面的至少一部分上形成可焊层。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,形成所述可焊层包括溅射、 蒸镀、丝网印刷、焊盘印刷、喷镀或其任意组合。
14.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述半导体管芯包括垂直 功率晶体管。
15.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述半导体管芯的第一表 面包括漏极区,而所述半导体管芯的第二表面包括源极和栅极区。
16.如权利要求12所述的方法,其特征在于,模制材料包括塑料材料。
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