[发明专利]包括将电极连接到衬底内的其它导电元件的导电元件的电子器件及其形成工艺无效
| 申请号: | 200580045246.X | 申请日: | 2005-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN101091254A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
| 发明(设计)人: | 俞钢;S·帕卡什 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L51/40 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈炜 |
| 地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 电极 接到 衬底 其它 导电 元件 电子器件 及其 形成 工艺 | ||
技术领域
本发明一般涉及有机电子器件,尤其涉及包括将电极连接到衬底内的其它导电元件的导电元件的电子器件及其形成工艺。
背景技术
包括有机电子器件的电子设备被越来越广泛地用于日常生活中。有机电子器件的示例包括有机发光二极管(“OLED”)。作为电子元件示例的OLED可用于无源矩阵显示器和有源矩阵显示器中。在有源阵列显示器内形成连接要比无源矩阵显示器复杂,因为像素驱动电路位于阵列内。对有机阵列OLED显示器的常规设计包括向阵列内的电子元件提供Vss的共阴极。共阴极设计使连接变得复杂,因为与用于选择(扫描)线、数据线和Vdd线的连接相比,Vss连接可处于相对像素驱动电路显著不同的高度。
Vss线可设置于衬底之上或之内。阴极与Vss线之间的连接可结合到封装设计中。然而,这种设计可使封装复杂得多,并且在制造使空气、水和其它污染物远离电子器件内的OLED和电路的适当密封时降低了制造毛利。
发明内容
一电子器件包括包含第一像素驱动电路、第一导电元件和第二导电元件的衬底。第一和第二导电元件彼此分隔开,第一导电元件连接到第一像素驱动电路,而第二导电元件是输电线的一部分。该电子器件也包括第一电子元件,该第一电子元件包括与第一导电元件接触的第一电极,连接到第二导电元件但不与其接触的第二电极,以及位于第一和第二电极之间的有机层。该电子器件也包括连接到第二电极和第二导电元件、并且与第二导电元件接触的第三导电元件。
在一个实施例中,用于形成电子器件的工艺包括在衬底内的第一导电元件之上形成第一电极。该衬底包括第一像素驱动电路、第一导电元件和第二导电元件。第一和第二导电元件彼此分隔开。第一导电元件连接到第一像素驱动电路,而第二导电元件是输电线的一部分。该工艺也包括在第一和第二电极之上形成第一有机层,并且在该第一有机层之上形成一第二电极,其中该第二电极并不位于第二导电元件之上。该工艺还包括去除第一有机层未被第二电极覆盖的外露部分,以便暴露第二导电元件。该工艺还包括形成连接到第二电极和第二导电元件、并且与第二导电元件接触的第三导电元件。
以上一般描述和以下详细描述仅仅是示例性和说明性的,而不对所附权利要求中定义的本发明作出限制。
附图说明
本发明在附图中作为示例示出而非限制。
图1包括电子器件内的阵列的一部分的电路图。
图2和3分别包括在形成用于像素驱动电路和Vdd线的外露导电元件的开口之后的衬底的一部分的平面图和横截面视图的示例。
图4和5分别包括图2和3的衬底在形成第一电极之后的平面图和横截面视图的示例。
图6包括图4和5的衬底在形成有机层之后的横截面视图的示例。
图7和8分别包括图6的衬底在形成第二电极之后的平面图和横截面视图的示例。
图9和10分别包括图7和8的衬底在蚀刻有机层的一部分以形成通到导电元件的开口之后的平面图和横截面视图的示例。
图11包括图9和10的衬底在形成连接到第二电极和外露导电元件的至少一部分的导电元件之后的横截面视图的示例。
图12和13包括根据其它实施例的电子器件部分的横截面视图的示例。
本领域技术人员应当理解:图中示出的元件是为了简便和清晰起见,因而并不需要按比例来绘制。例如,图中一些元件的尺寸可相对于其它元件进行放大,以便有助于改善对本发明各实施例的理解。
具体实施方式
一电子器件包括包含第一像素驱动电路、第一导电元件和第二导电元件的衬底。第一和第二导电元件彼此分隔开,第一导电元件连接到第一像素驱动电路,而第二导电元件是输电线的一部分。该电子器件也包括第一电子元件,该第一电子元件包括与第一导电元件接触的第一电极,连接到第二导电元件但不与其接触的第二电极,以及位于第一和第二电极之间的有机层。该电子器件也包括连接到第二电极和第二导电元件、并且与第二导电元件接触的第三导电元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于E.I.内穆尔杜邦公司,未经E.I.内穆尔杜邦公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





