[发明专利]包括将电极连接到衬底内的其它导电元件的导电元件的电子器件及其形成工艺无效
| 申请号: | 200580045246.X | 申请日: | 2005-12-29 | 
| 公开(公告)号: | CN101091254A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 | 
| 发明(设计)人: | 俞钢;S·帕卡什 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 | 
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L51/40 | 
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈炜 | 
| 地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 电极 接到 衬底 其它 导电 元件 电子器件 及其 形成 工艺 | ||
1.一种电子器件,包括:
衬底,它包括第一像素驱动电路、第一导电元件和第二导电元件,其中所述第一和第二导电元件彼此分隔开,所述第一导电元件连接到所述第一像素驱动电路,而所述第二导电元件是输电线的一部分;
第一电子元件,包括:
与所述第一导电元件接触的第一电极;
连接到所述第二导电元件但不与其接触的第二电极;以及
位于所述第一与第二电极之间并且覆盖所述第一电极和所述第二导电元件的第一有机层;以及
第三导电元件,它:
连接到所述第二电极和所述第二导电元件;以及
与所述第二导电元件接触;
其中所述第二电极具有开口,所述开口暴露所述第一有机层的至少一部分。
2.如权利要求1所述的电子器件,其特征在于:
所述衬底包括:
包括所述第一像素驱动电路的多个像素驱动电路;
附加第一导电元件;以及
附加第二导电元件,其中所述第一导电元件的每一个都与所述第二导电元件的每一个分隔开;
所述电子器件包括包含所述第一电子元件的电子元件阵列,其中所述电子元件的每一个包括:
与所述第一导电元件的至少一个接触的第一电极;
连接到所述第二导电元件的至少一个、但不与所述第二导电元件的任一个接触的第二电极;
所述有机层位于所述第一与第二电极之间;以及
所述第三导电元件连接到第二电极和所述第二导电元件、并且与所述第二导电元件的至少一部分接触。
3.如权利要求2所述的电子器件,其特征在于,所述电子元件包括沿着与所述第一电子元件元件相同的一行或相同的一列设置的第二电子元件。
4.如权利要求2所述的电子器件,其特征在于,所述电子元件包括沿着与所述第一电子元件元件不同的一行或不同的一列设置的第二电子元件。
5.如权利要求2所述的电子器件,其特征在于,所述第三导电元件与部分而非全部电子元件的所述第二电极接触。
6.如权利要求2所述的电子器件,其特征在于,所述第三导电元件基本上与所述阵列内的所有所述第二导电元件接触。
7.如权利要求1所述的电子器件,其特征在于,所述第三导电元件与所述第二导电电极接触。
8.如权利要求1所述的电子器件,其特征在于,所述有机层包括位于所述第一与第二电极之间的导电部分,以及基本上防止所述第二导电元件和第三导电元件与所述导电部分接触的电阻性部分。
9.如权利要求1所述的电子器件,其特征在于,还包括使所述第三导电元件与所述有机层绝缘的侧壁隔板。
10.如权利要求1所述的电子器件,其特征在于,所述有机层包括有机活性层。
11.如权利要求10所述的电子器件,其特征在于,所述第一电子元件包括辐射发射电子元件或辐射响应电子元件。
12.如权利要求1所述的电子器件,其特征在于,所述输电线是Vdd线或Vss线。
13.一种形成电子器件的工艺,包括:
在衬底内的第一导电元件之上形成第一电极,其中:
所述衬底包括第一像素驱动电路、所述第一导电元件和第二导电元件;
所述第一和第二导电元件彼此分隔开;
所述第一导电元件连接到所述第一像素驱动电路;以及
所述第二导电元件是输电线的一部分;
在所述第一电极和第二导电元件之上形成第一有机层;
在所述第一有机层之上形成具有开口的第二电极,其中所述第二电极并不位于所述第二导电元件之上,并且所述开口暴露所述第一有机层的至少一部分;
去除所述第一有机层的未被所述第二电极覆盖的外露部分,以便暴露所述第二导电元件;以及
形成第三导电元件,所述第三导电元件:
连接到所述第二电极和所述第二导电元件;以及
与所述第二导电元件接触。
14.如权利要求13所述的工艺,其特征在于:
去除所述第一有机层的所述外露部分形成与所述第二导电元件相邻的侧壁;以及
所述工艺还包括形成与所述侧壁相邻的所述第一有机层的电阻性部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于E.I.内穆尔杜邦公司,未经E.I.内穆尔杜邦公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





