[发明专利]形成介电膜的方法和利用该方法在半导体器件中形成电容器的方法

权利要求书

1.一种形成介电膜的方法，包括：

在晶片上形成预定厚度的二氧化锆(ZrO₂)层，所述厚度不允许形成的ZrO₂层连续；

在没有形成所述ZrO₂层的晶片部分上形成预定厚度的氧化铝(Al₂O₃)层，所述厚度不允许形成的Al₂O₃层连续。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述ZrO₂层的形成包括形成厚度为的ZrO₂层，所述厚度不允许形成ZrO₂层连续。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述Al₂O₃层的形成包括形成厚度为的Al₂O₃层，所述厚度不允许形成的Al₂O₃层连续。

4.根据权利要求1所述的方法，其中通过重复进行所述二氧化锆(ZrO₂)层的形成和所述氧化铝(Al₂O₃)层的形成来形成所述介电膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其中作为所述ZrO₂层与所述Al₂O₃层混合的所述介电膜形成为的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述ZrO₂层的形成包括：

在原子层沉积(ALD)设备的腔室内供应锆(Zr)源气体，以在所述晶片上吸附所述Zr源气体；

在所述腔室内供应惰性气体或使用真空泵，以清洗未被吸附的Zr源气体；

在所述腔室内供应氧化气体，以氧化吸附的Zr源气体，从而形成ZrO₂层；和

在所述腔室内供应惰性气体或使用真空泵，以清洗所有未反应的氧化气体。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在将所述ZrO₂层形成至预定厚度的范围内来重复进行所述ZrO₂层的形成，所述厚度不允许在所述晶片上形成的ZrO₂层连续。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述ZrO₂层的形成包括使用Zr源气体、惰性气体和氧化气体，所述Zr源气体包括选自Zr(O-tBu)₄、Zr[N(CH₃)₂]₄、Zr[N(C₂H₅)(CH₃)]₄、Zr[N(C₂H₅)₂]₄、Zr(TMHD)₄、Zr(OiC₃H₇)₃(TMTD)以及Zr(OtBu)₄中的一种，所述惰性气体包括氩(Ar)和氮(N₂)的一种，所述氧化气体包括选自水(H₂O)，臭氧(O₃)以及氧等离子体中的一种。

9.根据权利要求6所述的方法，其中在200℃～350℃的温度下进行所述ZrO₂层的形成。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述Al₂O₃层的形成包括：

在ALD设备的腔室内供应铝(Al)源气体，以在所述晶片上吸附所述Al源气体；

在所述腔室内供应惰性气体或使用真空泵，以清洗未被吸附的Al源气体；

在所述腔室内供应氧化气体，以氧化吸附的Al源气体，从而形成Al₂O₃层；和

在所述腔室内供应惰性气体或使用真空泵，以清洗所有未反应的氧化气体。