[发明专利]信息记录介质及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200580040945.5 申请日: 2005-10-14
公开(公告)号: CN101069238A 公开(公告)日: 2007-11-07
发明(设计)人: 槌野晶夫;西原孝史;儿岛理惠 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11B7/257 分类号: G11B7/257;G11B7/26;G11B7/254
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 信息 记录 介质 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种通过光学手段或电学手段来记录或再生信息的信息记录介质及其制造方法。

背景技术

作为光学信息记录介质之一例,有蓝光盘(Blu-ray Disc)。该记录介质的层结构,可以列举出从基板顺次层积有反射层、第3界面层、第2电介质层、第2界面层、记录层、第1界面层、第1电介质层、以及覆盖层而形成的结构。

第1电介质层与第2电介质层,具有如下功能:即通过调节光学距离(=折射率×物理距离),来提高记录层的光吸收效率,并增大晶体相中的反射率与非晶质相中的反射率之差,从而增大信号振幅。另外,还具有保护记录层免受水分等所损坏的功能。作为该电介质层的材料的一个例子,可以列举出80mol%的ZnS与20mol%的SiO2的混合物(以下称作(ZnS)80(SiO2)20)(例如参照专利文献1)。该材料是非晶质材料,热传导率低,并具有高折射率且高透明性的特性。另外,成膜时的成膜速度较快,机械特性及耐湿优秀。由于具有这样的优秀特性。因此,(ZnS)80(SiO2)20作为非常适于形成电介质层的材料已经被实用化。

第1界面层与第2界面层,是为了防止在给记录层照射激光并反复进行重写记录时(ZnS)80(SiO2)20中的S元素(以下称作硫)在记录层中扩散而设置的。如果记录层中的硫扩散,记录介质的反射率便会显著降低,重写特性显著恶化。作为该界面层的材料,公开有例如含有ZrO2或CrO3的材料(例如参照专利文献2)。该材料不含有硫,对蓝紫色波长区域(405nm附近)的激光的透明性较高,另外由于熔点高,因此,还是一种耐热性较高的优秀材料。

反射层,光学上具有增大记录层中吸收的光量的功能,热学上具有使记录层中所产生的热量迅速扩散,从而使得记录层易于迅速冷却而非晶质化的功能。进而,还具有保护记录层、界面层以及电介质层免受使用环境的影响的功能。因此,作为反射层的材料,使用热传导率高的Ag合金非常合适。

第3界面层,具有如下功能:即在第2电介质层中使用(ZnS)80(SiO2)20,在反射层中使用Ag合金的情况下,防止(ZnS)80(SiO2)20中的硫扩散到反射层中。如果硫扩散到反射层中,则与Ag合金中的Ag进行反应,生成Ag2S。即使在常温常湿的环境下也产生该Ag2S,因此记录介质的可靠性显著降低。作为该第3界面层的材料,可以使用除了硫化物之外的电介质,除了Ag之外的金属、半金属、半导体。

本发明人,对在第2电介质层中使用含有硫的电介质,并设有第3界面层的情况下的上述以往例,进一步发现了问题。

第一,记录层中产生的热变得难以扩散。信息记录介质中,若冷却效果较大则非晶质化就较为容易,从而能够得到良好的记录标记。元素中热传导率最高的是Ag,但如前所述,第3界面层中无法使用Ag合金。因此,由于设置第3界面层,导致记录层的冷却效果降低。另外,为了提高元素的相互扩散防止效果,而使用不同的材料将界面层多层化,增大膜厚,由此,冷却效果进一步丢失,很难迅速冷却,信号质量降低。

第二,因为设置第3界面层,而导致构成记录介质的层数增加。由于层数增加,因此产生了对制造记录介质的设备的投资额增加,制造节奏延长这一问题,从而导致记录介质的成本上升。

专利文献1:特公平06-090808号公报

专利文献2:特开2003-323743号公报

发明内容

本发明,是解决上述问题的技术方案,其提供一种不含有硫,对蓝紫色波长区域激光具有高透明性且耐湿性优秀的电介质材料。进而,通过将该电介质材料应用于第2电介质层,能够提供一种不需要第3界面层,高信号质量且重写特性优秀的信息记录介质。

本发明是一种记录或再生信息的信息记录介质,具有含Ce-F的层。

由此,能够得到信号质量高,且重写特性优秀的信息记录介质。

本发明的信息记录介质中,含Ce-F的层是电介质层。

由此,能够得到具有高透明性,且耐湿性优秀的电介质材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200580040945.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top