[发明专利]信息记录介质及其制造方法

权利要求书

1.一种信息记录介质，其中，

是一种对信息进行记录或再生的信息记录介质，并具有包含Ce-F的层。

2.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，

所述含Ce-F的层，是电介质层。

3.根据权利要求2所述的信息记录介质，其特征在于，

顺次具有基板、反射层、所述电介质层、记录层，

并以所述反射层与所述电介质层相接触的方式构成。

4.根据权利要求2所述的信息记录介质，是一种含有两层以上的信息层的信息记录介质，其特征在于，

至少1层信息层中，顺次具有基板、反射层、所述电介质层、记录层；

并以所述反射层与所述电介质层相接触的方式构成；

所述两层以上的信息层，被光学分离层所互相分离。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的信息记录介质，其特征在于，

所述电介质层，含有10mol％以上的Ce-F。

6.根据权利要求2～5中任一项所述的信息记录介质，其特征在于，

所述电介质层，还含有电介质材料D1，该电介质材料D1是从Al、Si、Ti、Zn、Ga、Y、Zr、In、La、Ce、Dy、Yb、Hf以及Ta中所选择出的至少一种元素的氧化物。

7.根据权利要求6所述的信息记录介质，其特征在于，

所述电介质层，还含有电介质材料D1，该电介质材料D1是从Si、Ga、Y、Zr、In、Dy、Hf以及Ta中所选择出的至少一种元素的氧化物。

8.根据权利要求5或7所述的信息记录介质，其特征在于，

所述电介质层，由式：(Ce-F)_x1D1_100-x1所表示，

x1满足10≤x1≤90。

9.根据权利要求2～5中任一项所述的信息记录介质，其特征在于，

所述电介质层，还含有电介质材料D2，该电介质材料D2是从Al、B、Y以及Si中所选择出的至少一种元素的氮化物。

10.根据权利要求9所述的信息记录介质：

所述电介质层，由式：(Ce-F)_x1D2_100-x1所表示，

x1满足10≤x1≤90。

11.根据权利要求2～5中任一项所述的信息记录介质，其特征在于，

所述电介质层，还含有电介质材料D3，该电介质材料D3是从Mg、Y、La、Gd、Tb以及Yb中所选择出的至少一种元素的氟化物。

12.根据权利要求11所述的信息记录介质，其特征在于，

所述电介质层，还含有电介质材料D3，该电介质材料D3是从Y以及La中所选择出的至少一种元素的氟化物。

13.根据权利要求11或12所述的信息记录介质，其特征在于，

所述电介质层，由式：(Ce-F)_x1D3_100-x1所表示，

x1满足10≤x1≤90。

14.根据权利要求2～5中任一项所述的信息记录介质，其特征在于，

所述电介质层，具有从以下电介质材料的任一种中选择出的多种电介质材料：电介质材料D1，其为从Al、Si、Ti、Zn、Ga、Y、Zr、In、La、Ce、Dy、Yb、Hf和Ta中所选择出的至少一种元素的氧化物；电介质材料D2，其为从Al、B、Y和Si中选择出的至少一种元素的氮化物；以及电介质材料D3，其为从Mg、Y、La、Gd、Tb和Yb中选择出的至少一种元素的氟化物。

15.根据权利要求14所述的信息记录介质，其特征在于，

所述电介质层，由式：(Ce-F)_x1D1_x2D_100-x1-x2所表示，其中，D表示从所述电介质材料D2和所述电介质材料D3中选择出的至少1种电介质材料，

x1、x2满足10≤x1≤90以及50≤x1+x2＜100。