[发明专利]聚合物及其制备方法、光学薄膜和图象显示器

说明书

                      技术领域

本发明涉及一种具有良好的耐热性和良好的光学性能的聚合物、涉及该聚合物的制备方法、涉及一种光学薄膜并涉及包含该光学薄膜的显示质量良好的图象显示装置。

                      背景技术

最近，在例如液晶显示装置和有机电致发光装置(本文后面称之为“有机EL装置”)的平板显示器领域，因为需要提高其耐破损性并降低其重量和厚度，研究使用塑料代替玻璃基底。特别是，在例如移动信息终端如移动电话、袖珍型个人计算机和膝上型个人计算机的移动信息通信设备的显示装置中，非常需要塑料基底。

用于平板显示器领域的塑料基底必须是导电的。因此，研究了将如下制得的透明导电基底用于显示装置得电极基底：通过在塑料薄膜上形成氧化物如铟氧化物、锡氧化物或氧化锡铟的半导体薄膜、金、银或钯合金的金属薄膜、或包含所述半导体薄膜和所述金属薄膜的组合的复合薄膜作为塑料薄膜上的透明导电层。

就可用于上述目的的电极基底而言，有通过在耐热无定形聚合物，例如改性聚碳酸酯(改性PC)(例如，参见JP-A 2000-227603，权利要求7、[0009]-[0019])、聚醚砜(PES)(例如，参见JP-A 2000-284717，[0010]、[0021]-[0027])、环烯烃共聚物(例如，参见JP-A 2001-150584，[0027]-[0039])的塑料基底上层合透明导电层和阻气层而制得的已知的层合结构。然而，即使使用这种耐热塑料也仍不能得到具有令人满意的耐热性的塑料基底。特别是，当在这种耐热塑料基底上形成导电层然后将其暴露于不低于150℃的高温下以赋予其对齐薄膜时，由于该层的导电性和阻气性可能大大降低并恶化，所以会产生问题。

另一方面，最近，在制备活性矩阵型图象显示装置时安装TFT的情况下要求基底薄膜具有较高水平的耐热性。为了满足这种高水平的要求，例如，提出了一种在300℃或更低的温度下以等离子体分解的方式分解含SiH₄的气体来形成多晶硅薄膜的方法(例如，参见JP-A7-81919，权利要求3、[0016]-[0020])。还提出了一种通过用能量束照射在聚合物基底上形成无定形硅和多晶硅的混合物的半导体薄膜的方法(例如，参见JP-T 10-512104，第14-22页、图1、图7)(本文所用的术语“JP-T”是PCT专利申请的公开的日文译本)。还提出了一种通过在塑料基底上提供热缓冲层并对其用脉冲激光束照射而在塑料基底上形成多晶硅半导体层的方法(例如，参见JP-A 11-102867，权利要求1-10、[0036])。然而，为了在300℃或更低的温度下形成TFT的多晶硅薄膜而提出的这些各种各样的方法由于它们的构造及它们所需的设备复杂并且昂贵而仍存在问题，因此需要在300℃-350℃耐热的塑料基底。

此外，TFT的多晶硅薄膜的制备方法需要一些高温加工步骤，因此如果耐热性良好的塑料基底的线性热膨胀系数大的话，透明导电层由于变形而导致其会从基底剥落或者导电层的电阻值会上升，因此即使是耐热性良好的塑料基底仍然会存在一些问题。

而且，提出了一种透明导电薄膜，它包含由脂族四羧酸酐获得的聚酰亚胺(例如，参见JP-A 2003-141936)。该聚酰亚胺薄膜具有良好的透明度，但是就形成TFT的高质量多晶硅薄膜而言，耐热性仍然不令人满意。因此，迄今一直希望开发一种既有良好的耐热性又有良好的光学性能的光学薄膜，但是迄今没有人成功地获得令人满意的光学薄膜。

                      发明内容

本发明是在考虑相关技术中的上述问题的情况下进行的，并且本发明的一个目的是提供一种聚合物和一种耐热性足够良好可以在高温下于其上形成各种功能层并且光学性能良好的光学薄膜。本发明的另一目的是提供一种有效地制备分子量高的聚合物的方法。

本发明的再一目的是使用上述的光学薄膜来提供一种图象显示质量良好的图象显示装置。

为了实现上述目的，本发明的发明者们已经深入研究了聚酰亚胺的结构，结果发现由具有特定结构的聚合物形成的薄膜既有良好的耐热性又有良好的光学性能，并且完成了本发明。

具体地说，本发明的目的是通过下述光学薄膜实现的。

[1]一种具有下式(1)的重复单元的聚合物：

式(1)

其中X代表下式(2)的二价连接基团；并且Y代表亚甲基、亚乙基或亚乙烯基：

式(2)