[发明专利]光学记录介质

说明书

技术领域

本发明涉及一种其中激光束的照射引起记录层的记录材料光学变化而因此记录和复制信息并且可重写信息的相变光学记录介质(例如DVD-RW、DVD+RW或DVD-RAM)，并且还特别地涉及一种具有响应高速记录线速度的性能的光学记录介质。

背景技术

就常规而言，在其中将信息记录和复制到记录层上/由记录层记录和复制信息并且可重写信息的相变光学记录介质中，记录层含有四种元素Ag、In、Sb和Te作为主要组分。目的是在稳定的信号处理基础上提高记录线速度，这使得可以在目前市售DVD-ROM的记录线速度(3.49m/s)的1倍速度-4倍速度下稳定地进行记录和复制。

在光学记录介质中，传热的方式随着层压在基底上的各层的光学常数或薄膜厚度而细微改变，并且可能极大地影响记录在记录层上的标记中的记录特性，或者反射率或调制系数可能变化。正如专利文献1中的那样，层压在基底上的每一层的薄膜厚度、记录层中结晶相和非晶相的光学常数、与保护层和反射层有关的光学常数以及透明基底的槽深条件是与记录特性和信号处理相关的重要因素。

另外，为了实现高速记录，记录必须采用另外较高的功率进行，因此与常规技术相比储存可靠性变得更加严格。反射层中所使用的具有高导热率的Ag与保护层的ZnS-SiO₂中的S结合并形成Ag₂S，因此有必要在反射层与保护层之间设置硫化防止层(sulfidation prevention layer)。然而，采用较高功率记录造成Ag反射层与硫化防止层之间的干扰而容易出现剥离，这导致在重复记录之后或者在恶劣的环境中长期储存之后容易出现光盘缺陷的问题。

作为相关的公知技术，专利文献2披露了这样一个发明：其中将氧化钽、钽和镍用于与Ag反射层接触的中间层，并且将M_w(Sb_zTe_1-z)_1-w用于记录层，条件是0≤w≤3并且0.5≤z≤0.9。然而，该发明具有不同于本发明的硫化防止层的组成元素；并且另外与本发明相比，记录在2倍CD速度(2.4m/s)的更低速度和更低密度下进行。

另外，本申请人的与本申请相关的专利文献3披露了这样一个发明：其中将Si、SiC、Ge和GeCr用于与Ag反射层接触的硫化防止层，并且将GaαGeβInγSbδTeε(条件是0＜α＜7，0＜β＜10，0＜γ＜5，60＜δ＜80和0＜ε＜5)用于记录层。然而，该发明具有不同于本发明的硫化防止层的组成元素。另外，与本发明相比，记录在最大为20m/s的更低速度下进行。

另外，专利文献4披露了这样一个发明：其中记录层由GeSbIn组成，并且与本发明相比，记录在2.4m/s-9.6m/s的更低速度下进行。

本发明旨在提供一种可在DVD-ROM的6倍速度-8倍速度(在下文中简称为′6倍速度-8倍速度′)下记录的DVD+RW，并且研究了记录层在晶态和非晶态下的光学常数以及控制高反射率的凹槽条件；同时还研究了硫化防止层。

专利文献1：日本专利申请特开(JP-A)No.2000-76702

专利文献2：日本专利(JP-B)No.3494044

专利文献3：日本专利申请特开(JP-A)No.2003-248967

专利文献4：日本专利申请特开(JP-A)No.2001-39031

发明内容

本发明的目的是提供一种可在高线速度——20m/s-28m/s(约6倍速度-8倍速度)下重复记录并且同时记录特性和储存特性优良的DVD+RW介质。另外，目的是提供一种其中记录层的反射率适宜地降低的DVD+RW介质。另外，目的是提供这样一种相变光学记录介质：其中通过反射层与硫化防止层之间的粘合性的提高，使得由于即使在重复记录或者在恶劣的环境中长期储存之后出现的疏松薄膜所引起的光盘缺陷难以出现。

上述问题通过以下发明1)-12)(在下文中称为发明1-12)解决。

1)一种光学记录介质，其包含：透明基底、布置于透明基底上的第一保护层、布置于第一保护层上的记录层、布置于记录层上的第二保护层和布置于第二保护层上的反射层，