[发明专利]光学记录介质

权利要求书

1.一种光学记录介质，其包含：

透明基底，

布置于透明基底上的第一保护层，

布置于第一保护层上的记录层，

布置于记录层上的第二保护层，和

布置于第二保护层上的反射层，

其中该记录层由包含Ga、Sb、Sn和Ge并且其中转变线速度为20m/s-30m/s的相变记录材料组成，

其中当记录和复制光的波长处于650nm-665nm范围内并且记录线速度为20m/s-28m/s时，记录层在晶态下的折射率Nc和消光系数Kc以及在非晶态下的折射率Na和消光系数Ka分别满足以下数值表达式：

2.0≤Nc≤3.0，

4.0≤Kc≤5.0，

4.0≤Na≤5.0，和

2.5≤Ka≤3.1，

并且其中可在20m/s-28m/s的记录线速度范围内记录信息。

2.根据权利要求1的光学记录介质，其中当将记录层中的四种元素Ga、Sb、Sn和Ge的相互组成原子％分别看作是α、β、γ和δ时，它们满足以下数值表达式：

2≤α≤11，

59≤β≤70，

17≤γ≤26，

2≤δ≤12，

84≤β+γ≤88，和

α+β+γ+δ＝100。

3.根据权利要求2的光学记录介质，其中相对于记录层中的所有元素，记录层中的四种元素Ga、Sb、Sn和Ge的总含量为95原子％或更大。

4.根据权利要求3的光学记录介质，其中记录层进一步包含Te。

5.根据权利要求1的光学记录介质，其中第一保护层的薄膜厚度为30nm-100nm，记录层的薄膜厚度为5nm-50nm，第二保护层的薄膜厚度为3nm-15nm，反射层的薄膜厚度为100nm-300nm。

6.根据权利要求1的光学记录介质，其中透明基底带有具有0.74±0.03μm轨道间距、22nm-40nm槽深和0.2μm-0.3μm槽宽的波动式凹槽。

7.根据权利要求1的光学记录介质，其中该光学记录介质进一步包括在第二保护层与反射层之间的硫化防止层；并且第一保护层包括ZnS和SiO₂的混合物且第二保护层包括ZnS和SiO₂的混合物，硫化防止层包括TiC和TiO的混合物，反射层包括Ag。

8.根据权利要求7的光学记录介质，其中反射层包括其中Ag为主要组分的合金。

9.根据权利要求7的光学记录介质，其中第二保护层和硫化防止层的总薄膜厚度为7nm-20nm。

10.根据权利要求9的光学记录介质，其中第二保护层和硫化防止层的总薄膜厚度为7nm-15nm。

11.根据权利要求7的光学记录介质，其中硫化防止层的组成为(TiC)_p(TiO)_100-p，其中p表示质量百分比并且满足以下数值表达式50≤p≤80。

12.根据权利要求7的光学记录介质，其中该光学记录介质进一步包括在第二保护层与硫化防止层之间的具有2nm-8nm薄膜厚度、含有ZrO₂、Y₂O₃和TiO₂的混合物的层。

13.根据权利要求7的光学记录介质，其中该光学记录介质进一步包括在第一保护层与相变记录层之间的具有2nm-4nm薄膜厚度的含有SiO₂的层。