[发明专利]碳化硅MOS场效应晶体管以及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于：

在第1导电型碳化硅衬底(1)上形成有由第1导电型碳化硅构成的第1淀积膜(2)；

在其上形成有由第1导电型碳化硅构成的第2淀积膜(33)；

进而，在其上形成有由第2导电型碳化硅构成的第3淀积膜(32)，在该第3淀积膜内有选择地形成有第1导电型的基极区域(4)和第2导电型的栅极区域(11)；

至少在该第2导电型的栅极区域的表面上隔着栅极绝缘膜(6)设有栅极(7)；

在所述第2导电型的栅极区域(11)内有选择地形成有第1导电型的高浓度源极区域(5)；

漏极(10)与所述第1导电型碳化硅衬底(1)的背面低电阻连接；

在所述第1淀积膜(2)和所述第2淀积膜(33)之间设有第2导电型的高浓度栅极层(31)；

源极(9)与所述高浓度源极区域(5)和所述高浓度栅极层(31)的表面低电阻连接；

该第2导电型的高浓度栅极层具有部分欠缺部(24)，所述第2淀积膜(33)与所述第1淀积膜(2)在该部分欠缺部(24)直接相接，进而在该部分欠缺部(24)的投影区域，所述第3淀积膜(32)内的所述第1导电型的基极区域(4)与所述第2淀积膜(33)直接相接。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，将所述第2导电型层的高浓度的栅极层(31)形成在所述第1淀积膜(2)内。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第2导电型层的高浓度栅极层(31)为由形成在第1淀积膜(2)上的高浓度的第2导电型碳化硅构成的第4淀积膜。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第3淀积膜(32)内的所述部分欠缺部(24)的投影区域中，在所述第1导电型的基极区域(4)及其周边部分上，具备与所述第1导电型的高浓度源极区域(5)的杂质浓度相同、深度相同，且通过同时进行的离子注入而有选择地形成的第1导电型的高浓度层(41)。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第2淀积膜(33)和所述源极(9)之间设有通过高浓度的第2导电型的离子注入形成的区域(34)，并在其表面上与所述源极(9)低电阻接触。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第2淀积膜(33)和所述源极(9)之间设有绝缘膜(51)。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第1导电型碳化硅衬底(1)的表面的结晶学的晶面指标是相对于{0001}大致平行的面。

8.一种半导体器件的制造方法，用于制造权利要求1所述的半导体器件，其特征在于具有：在所述第1淀积膜(2)上部分地形成所述第2导电型的高浓度栅极层(31)的工序，在该第2导电型的高浓度栅极层(31)上、以及在所述部分欠缺部(24)露出的所述第1淀积膜(2)上形成第1导电型的所述第2淀积膜(33)的工序，进而在其上形成所述第2导电型的第3淀积膜(32)的工序，以及，进行从该第3淀积膜(32)的所述部分欠缺部的投影区域的表面到达所述第2淀积膜(33)的有选择的第1导电型杂质离子注入、以形成所述第1导电型的基极区域(4)的工序。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于具有：通过高浓度的第2导电型杂质离子注入在所述第1淀积膜(2)表面上有选择地形成所述第2导电型的高浓度栅极层(31)，并在其上形成第2淀积膜(33)的工序，进而在其上形成所述第2导电型的第3淀积膜(32)的工序，和为了在该第3淀积膜内形成所述第1导电型的基极区域(4)而有选择地进行第1导电型杂质离子注入的工序。

10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于具有：在所述第1淀积膜(2)上形成所述第4淀积膜(31)的工序，形成从该第4淀积膜表面到达所述第1淀积膜(2)的沟槽的工序，在所述第4淀积膜(31)以及所述沟槽膜之上形成第2淀积膜(33)的工序，进而在其上形成所述第2导电型的第3淀积膜(32)的工序，和为了在该第3淀积膜内形成所述第1导电型的基极区域(4)而有选择地进行第1导电型杂质离子注入的工序。