[发明专利]用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法有效
| 申请号： | 200510090179.5 | 申请日： | 2005-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1911781A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 石莎莉;陈大鹏;李超波;焦斌斌;欧毅;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;H01L21/00;G01K7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 提高 制冷 红外 平面 阵列 器件 性能 制作方法 | ||
【权利要求书】：
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