[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备有：

半导体基板；

电荷积蓄区域，设置于所述半导体基板上，且至少具有设置于字线下方的隧道氧化膜和储存膜；

辅助栅极，设置于形成在半导体基板上的栅极绝缘膜上，且用以形成在所述半导体基板中作为配线使用的反转层；以及

高浓度不纯物区域，是在彼此相邻的所述辅助栅极间的所述半导体基板中，且与所述半导体基板是相同的传导型，

其中，所述高浓度不纯物区域延伸达所述辅助栅极的外缘部。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隧道氧化膜的膜厚为4nm以上。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隧道氧化膜的膜厚为5nm以上。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隧道氧化膜的膜厚为6nm以上。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隧道氧化膜的膜厚为7nm以上。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隧道氧化膜的膜厚为10nm以上。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电荷积蓄区域具有设置于所述储存膜上的顶部氧化膜，且所述隧道氧化膜和所述顶部氧化膜至少一方的膜厚为4nm以上。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电荷积蓄区域具有设置于所述储存膜上的顶部氧化膜，且所述隧道氧化膜和所述顶部氧化膜至少一方的膜厚为5nm以上。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电荷积蓄区域具有设置于所述储存膜上的顶部氧化膜，且所述隧道氧化膜和所述顶部氧化膜至少一方的膜厚为6nm以上。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电荷积蓄区域具有设置于所述储存膜上的顶部氧化膜，且所述隧道氧化膜和所述顶部氧化膜至少一方的膜厚为7nm以上。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电荷积蓄区域具有设置于所述储存膜上的顶部氧化膜，且所述隧道氧化膜和所述顶部氧化膜至少一方的膜厚为10nm以上。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隧道氧化膜的FN穿隧具有支配性的膜厚。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述辅助栅极的侧壁侧具备侧面壁。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其中，所述侧面壁为形成于所述辅助栅极侧壁的积蓄电荷区域的一部分。

15.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述积蓄电荷区域设置于所述辅助栅极的下方。

16.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隧道氧化膜包含位于所述辅助栅极下方的栅极绝缘膜。

17.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述积蓄电荷区域以被覆所述辅助栅极的方式设置。

18.如权利要求1所述的半导体装置，其中，彼此相邻配置的所述辅助栅极间的半导体基板表面区域施加有U字形的凿削加工。

19.一种半导体装置的制造方法，具备：

在半导体基板上隔着栅极绝缘膜形成用以形成在所述半导体基板中作为配线使用的反转层的辅助栅极的步骤；

在相邻的所述辅助栅极间的所述半导体基板中，形成与所述半导体基板相同传导型的高浓度不纯物区域的步骤；以及

在所述半导体基板上，形成至少具有隧道氧化膜和储存膜的电荷积蓄区域的步骤，

其中，所述高浓度不纯物区域延伸达所述辅助栅极的外缘部。

20.如权利要求19所述的制造方法，其中，所述半导体装置的制造方法中，包含在所述半导体基板形成U字状沟的步骤，且所述电荷积蓄区域形成在包含所述U字状沟的所述半导体基板上。

21.如权利要求19或20所述的制造方法，其中，所述半导体装置的制造方法中，包含使沿着所述辅助栅极侧面设置的侧面壁形成的步骤。

22.一种半导体装置，具备：

半导体基板；

电荷积蓄区域，设置于所述半导体基板上，且至少具有设置于字线下方的隧道氧化膜和储存膜；

辅助栅极，设置于形成在半导体基板上的栅极绝缘膜上，且用以形成在所述半导体基板中作为配线使用的反转层；

高浓度不纯物区域，是在彼此相邻的所述辅助栅极间的所述半导体基板中，且与所述半导体基板是相同的传导型；以及

略U字状凹陷，形成于相邻的所述辅助栅极间的所述半导体基板中，

其中，所述高浓度不纯物区域延伸达所述辅助栅极的外缘部。