[发明专利]功率半导体器件及制造方法

说明书

相关申请的交叉参考

本申请为下列共同转让的美国专利申请的部分延续：

Mo等人的第10/155,554号(代理案号18865-17-2/17732-7226.001)，标题为“Field Effect Transistor andMethods of its Manufacture”，2002年5月24日；

Sapp的第No.10,209,110号(代理案号18865-98/17732-55270)，标题为“Dual Trench Power MOSFET”，2002年7月30日；

Kocon的第09/981,583号(代理案号18865-90/17732-51620)，标题为“Semiconductor Structure with Improved Smaller Forward Lossand Higher Blocking Capability”，2001年10月17日；

Kocon等人的第10/640,742号(代理案号90065.000241/17732-66550)，标题为“Improved MOS Gating Methodfor Reduced Miller Capacitance and Switching Losses”，2003年8月14日；

Marchant的第09/774,780号(代理案号18865-69/17732-26400)，标题为“Field Effect Transistor Having aLateral Depletion Structure”，2001年1月30日；

Sapp等人的第10/200,056号(代理案号18865-97/17732-55280)，标题为“Vertical Change ControlSemiconductor Device with Low Output Capacitance”，2002年7月18日；

Kocon等人的第10/288,982号(代理案号18865-117/17732-66560)，标题为“Drift Region Higher BlockingLower Forward Voltage Drop Semiconductor Structure”，2002年11月5日；

Herrick的第10/442,670号(代理案号18865-131/17732-66850)，标题为“Structure and Method for Forming a Trench MOSFET HavingSelf-Aligned Features”，2003年5月20日；

Yedinak的第10/315,719号(代理案号90065.051802/17732-56400)，标题为“Method of Isolating the CurrentSense on P1anar or Trench Stripe Power Devices while Maintaining aContinuous Stripe Cell”，2002年12月10日；

Elbanhawy的第10/222,481号(代理案号18865-91-1/17732-51430)，标题为“Methods and Circuit for ReducingLosses in DC-DC Converters”，2002年8月16日；

Joshi的第10/235,249号(代理案号18865-71-1/17732-26390-3)，标题为“Unmolded Package for a Semiconductor device”，2002年9月4日；以及

Joshi等人的第10/607,633号(代理案号18865-42-1/17732-13420)标题为“Flip Chip in Leaded MoldedPackage and Method of Manufacture Thereof”，2003年6月27日；

并且要求下列临时提交的美国专利申请的优先权：

Wilson等人的第60/506,194号(代理案号18865-135/17732-66940)，标题为“High Voltage Shielded Trench GateLDMOS”，2003年9月26日；以及