[发明专利]提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法无效
| 申请号： | 03129508.8 | 申请日： | 2003-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1471177A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 陆卫;季亚林;陈效双;李志锋;李宁;陈贵宾;汤乃云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 inas gaas 量子 半导体材料 发光 效率 方法 | ||
【说明书】：
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