[实用新型]发光二极管的改良无效
| 申请号： | 02206658.6 | 申请日： | 2002-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN2529387Y | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 秦元正 | 申请（专利权）人： | 东贝光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 改良 | ||
1.一种发光二极管的改良，其特征在于：发光二极管包括：
第一散热导件，是由可导电的材质制成，该第一散热导件顶部设有一容置部，而该第一散热导件的外侧面具有一个以上的阶梯面；
一个以上的发光晶片，设于该第一散热导件的容置部，可导电以激发出光线；
第二散热架体，是由绝缘材料制成，该第二散热架体内设有一个以上的导架，该导架可与发光晶片电性连接，且导架是由第二散热架体向外延伸；
第二散热架体是一体设于第一散热导件外围，且第二散热架体至少与第一散热导件的阶梯面接触
2.如权利要求1所述的发光二极管的改良，其特征在于：第一散热导件的阶梯面是环绕设置。
3.如权利要求1所述的发光二极管的改良，其特征在于：第一散热导件的容置部顶侧设有一透光件，透光件具有预定的形状且可透光。
4.如权利要求3所述的发光二极管的改良，其特征在于：第二散热架体于第一散热导件的容置部顶侧设有一延伸部，透光件固定于延伸部内。
5.如权利要求1所述的发光二极管的改良，其特征在于：发光晶片顶部与底部具有不同的外质半导性，而电性连接发光晶片的顶部及一导架，另外电性连接发光晶片的底部、第一散热导件及另一导架。
6.如权利要求1所述的发光二极管的改良，其特征在于：发光晶片两侧部具有不同的外质半导性，而电性连接该发光晶片一侧部及一导架；另外电性连接该发光晶片的另一侧部及另一导架。
7.如权利要求1所述的发光二极管的改良，其特征在于：第二散热架体添加有散热的加强成份。
8.如权利要求1所述的发光二极管的改良，其特征在于：第二散热架体是一体射出成型而设于第一散热导件外围。
9.如权利要求1所述的发光二极管的改良，其特征在于：第一散热导件可由铜、铝及其合金制成。
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