[发明专利]半导体器件的生产方法及其使用的浆体无效
| 申请号： | 02140212.4 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1395295A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 胜村宣仁;胜村义辉;佐藤秀己;内田宪宏;金井史幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09K3/14;C09G1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,邰红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 生产 方法 及其 使用 | ||
1、一种生产半导体器件的方法，该方法包括下述步骤：
在硅基板表面上形成槽；
以这样的方式在基板表面上生成阻挡膜，以致槽的内壁和底部被阻挡膜覆盖；
以这样的方式生成内埋膜，以其填充槽的内部；以及
抛光在硅基板上的阻挡膜和内埋膜中的至少一种膜，其中
抛光步骤包括使用第三种浆体对在硅基板上的阻挡膜和内埋膜中的至少一种膜进行化学-机械抛光，该第三种浆体是将在内埋膜上抛光速率低于在硅基板上的抛光速率的第一种浆体与在内埋膜上抛光速率高于在硅基板上的抛光速率的第二种浆体混合制备得到的。
2、根据权利要求1所述的生产半导体器件的方法，其中所述的第一种浆体是含有5-30重量％磨料颗粒的并能够抛光硅基板的浆体，而所述的第二种浆体是含有0.1-10重量％氧化剂的并能够抛光阻挡膜和内埋膜的浆体。
3、根据权利要求1所述的生产半导体器件的方法，其中：
所述第三种浆体在硅基板上的抛光速率与在内埋膜上的抛光速率之比为0.55∶1至1.8∶1；以及
所述第三种浆体在内埋膜上的抛光速率高于所述第一种浆体的抛光速率，而所述第三种浆体在硅基板上的抛光速率高于所述第二种浆体的抛光速率。
4、根据权利要求1所述的生产半导体器件的方法，其中：
所述硅基板在其表面上有绝缘膜；以及
阻挡膜包含金属化合物，而内埋膜包含金属。
5、根据权利要求1所述的生产半导体器件的方法，其中所述的抛光步骤还包括所述第一种浆体和所述的第二种浆体定量混合的浆体-混合步骤。
6、根据权利要求2所述的生产半导体器件的方法，其中所述的氧化剂包括过氧化氢和高碘酸中的至少一种，而所述的磨料颗粒包括二氧化硅、氧化铝和二氧化铈中的至少一种。
7、根据权利要求1所述的生产半导体器件的方法，其中所述的第三种浆体是含有氧化剂和10-28重量％磨料颗粒的酸性浆体。
8、一种化学-机械抛光浆体，它是一种用于化学-机械抛光硅基板阻挡膜和内埋膜中至少一种膜的浆体，在硅基板表面有槽，其槽的内壁和底部覆盖阻挡膜，而槽内部，其中包括壁和底部填充内埋膜：其中
所述的浆体是含有氧化剂和10-28重量％磨料颗粒的酸性浆体。
9、根据权利要求8所述的化学-机械抛光浆体，它在硅基板上的抛光速率与在内埋膜上的抛光速率之比为0.55∶1至1.8∶1。
10、根据权利要求8所述的化学-机械抛光浆体，它在二氧化钛上的抛光速率与在钨上的抛光速率之比为0.7∶1至1.3∶1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
