[发明专利]光栅失真校正电路无效
申请号: | 02140198.5 | 申请日: | 2002-05-08 |
公开(公告)号: | CN1387366A | 公开(公告)日: | 2002-12-25 |
发明(设计)人: | R·韦伯 | 申请(专利权)人: | 汤姆森许可公司 |
主分类号: | H04N3/16 | 分类号: | H04N3/16;H04N3/23 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光栅 失真 校正 电路 | ||
技术领域
本发明涉及阴极射线管(CRT)的水平偏转电路,它提供光栅失真校正,例如,内部枕形失真或内部桶形失真光栅失真校正。
背景技术
水平偏转电路通常用谐振跟踪和回描原理。回描过程中,偏转电路形成高频并联谐振电路,用于把来自回描变压器初级绕组的能量存储在偏转电路中。回描提供偏转电流快速回流。
跟踪间隔中,偏转开关提供有跟踪谐振频率并由偏转绕组和S形电容器构成的低频跟踪谐振电路。结果,一个跟踪周期中能量从偏转线圈到S电容器并回到偏转线圈循环。包括偏转线圈和S电容器的谐振电路以跟踪谐振频率产生偏转电流的正弦波形分量。
S电容器的电容量确定S形偏转电流。因此,为了提高水平线性度应选择S电容器。余弦波形电压跨接在S电容器上。当偏转电流为0时,在跟踪中心的幅度最大。
校正内部光栅失真要求沿光栅的垂直轴,即,从光栅的顶到中心和从中心到底,按距离函数关系调制S形。通过调制按水平速率变化的跨接在S电容器上的电压分量的峰值至峰值幅度来实现该调制。调制过的电压出现和跨接在水平偏转绕组上,并引起偏转电流调制。偏转角大于110°的CRT要求跟踪谐振频率按CRT的电子束的垂直位置变化,以进行内部枕形失真或内部桶形失真校正。
实施发明特征,在部分跟踪间隔中,电感-电容(LC)网络经可控开关晶体管耦合到S电容器,以完成可调节光栅校正。LC网络构成第2跟踪谐振电路。第2跟踪谐振电路中的电流形状是周期等于可控开关晶体管的导通时间的近似正弦波形。通过控制可控开关晶体管的导通时间来选择LC网络中电流的频率和大小。生成的偏转电流形状是受控的LC网络中的近似的正弦波电流与S电容器中的电流之和。
发明内容
按本发明的一个方案的偏转设备,包括偏转线圈,它耦合到回描电容器,形成回描间隔期间的回描谐振电路,和耦合到跟踪电容器,形成在跟踪间隔期间包括偏转线圈和跟踪电容器的第1跟踪谐振电路。第1开关半导体以与第1偏转频率相关的频率响应同步的第1信号,并耦合到偏转线圈,在与同步信号同步的偏转线圈中产生偏转电流。在跟踪间隔期间第2跟踪谐振电路中耦合调制电感。设置与第2偏转频率相关的频率下的调制第2信号源。第2开关半导体响应第1和第2信号,在跟踪间隔的第1部分期间有第1开关状态,在跟踪间隔的第2部分期间有第2开关状态。第1和第2部分按第2信号变化。第2开关半导体耦合到调制电感,用于在调制电感和跟踪电容器中产生调制电流,它按第2信号调制跟踪电容中产生的电压,用于光栅失真校正。
附图说明
图1是用本发明特征的偏转电路的简单示意图;
图2A,2B和2C是用于说明图1所示电路的操作模式的波形图;
图3A,3B和3C是说明图1所示电路的另一操作模式的波形图;
图4是图1所示开关配置的替换电路图;
图5A,5B和5C是说明有替换开关配置的图1所示电路的另一操作模式的波形图;
图6是图1所示电路的详细示意图;和
图7示出与图2A,2B降2C相关的图1所示开关配置的另一替换电路图;
具体实施方式
图1是用本发明特征的偏转电路100的简单示意图。偏转电路100在31.5kHz的水平频率下操作。偏转电路100包括耦合到供给电压B+的恒定直流电(DC)源的初级绕组W1。常规的回描变压器T的初级绕组W1耦连到水平输出或开关晶体管Q1的集电端51。晶体管Q1的基极受工作循环约为50%的水平驱动信号控制。晶体管Q1的发射极电压是公用导体电位或地电位。第1回描电容器Cb耦连到晶体管Q1的集电端51。集电端51还耦连到第2回描电容器C1a。
第2回描电容器C1a的引出端52经串联耦连的第3回描电容器C1b耦合到地。阻尼二极管D1a与电容器C1a并联。阻尼二极管D1b与电容器C1b并联耦连。引出端52耦连到东—西方调制电感Lew。电感Lew的引出端53耦连到东—西方调制晶体管Qew的集电极和滤波电容器Cew,以构成提供外部枕形失真校正的常规二极管调制器。
按常规方式用提供东—西方光栅失真校正的有周期V的垂直率抛物线调制信号E/W-DRIVE控制晶体管Qew。术语V是指按电视标准中的垂直周期,例如,20毫秒(ms)。反馈电阻Rew耦连在晶体管Qew的集电极与基极之间,以提供A类操作。随后,在电感Lew的引出端53以常规方式产生垂直率抛物线调制电压Vm。偏转绕组Ly耦连在引出端51与54之间。常规的S形电容器Cs耦连在引出端52与54之间。
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