[发明专利]光栅失真校正电路无效

专利信息
申请号: 02140198.5 申请日: 2002-05-08
公开(公告)号: CN1387366A 公开(公告)日: 2002-12-25
发明(设计)人: R·韦伯 申请(专利权)人: 汤姆森许可公司
主分类号: H04N3/16 分类号: H04N3/16;H04N3/23
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张志醒
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光栅 失真 校正 电路
【权利要求书】:

1.一种有光栅失真校正的偏转装置,包括

偏转线圈(Ly),它耦连到回描电容器(C1a),在回描间隔期间形成回描谐振电路,并耦连到跟踪电容器(Cs),在跟踪间隔期间形成包括所述偏转线圈和所述跟踪电容器的第1跟踪谐振电路;

第1开关半导体(Q1),在与第1偏转频率(HORIZONTAL)相关的频率处的响应同步的第1信号(50),和耦连到所述偏转线圈,在与所述的同步第1信号同步的所述偏转线圈中产生偏转电流(ILy)。

调制电感(Lx),在所述跟踪间隔期间,它耦连在第2跟踪谐振电路(Lx,Cx)中;

在与第2偏转频率(VERTICAL)相关的频率处的调制第2信号(IPcor)源;其特征是,

第2开关半导体(Q2)响应所述第1和第2信号,在所述跟踪间隔的第1部分期间(图3A至3C中T1和T2外边跟踪部分),有第1开关状态(关),所述跟踪间隔(T1和T2)的第2部分期间,有第2开关状态(开),所述跟踪间隔的第1部分和第2部分按所述第2信号变化,耦连到所述调制电感的所述第2开关半导体在所述调制电感和所述跟踪电容器中产生调制电流(Ix),调制电流(Ix)根据所述第2信号调制所述跟踪电容器中产生的电压(VCs),以进行光栅失真校正。

2.按权利要求1的有光栅失真校正的偏转装置,其特征是,调制所述跟踪电容器电压(VCs),以进行S形校正。

3.按权利要求1的有光栅失真校正的偏转装置,其特征是,脉冲宽度调制器(60)响应所述同步第1信号(60b)和所述调制第2信号(IPcor),以控制所述第2开关半导体(Q2)的所述开关状态。

4.按权利要求1的有光栅失真校正的偏转装置,其特征是,调制电容器(Cx)耦连到所述跟踪电容器(Cs)和所述调制电感(Lx)以在所述跟踪间隔的所述第2部分(图3A-3C所示的T1和T2)期间形成所述第2跟踪谐振电路(Cx,Lx)。

5.按权利要求1的有光栅失真校正的偏转装置,其特征是,东—西方光栅失真校正电路(QEW,LEW)响应在与垂直偏转频率相关的频率处的调制第3信号(E/W-DRIVE),以进行东—西方光栅失真校正。

6.按权利要求5的有光栅失真校正的偏转装置,其特征是,所述东—西方光栅失真校正电路(QEW,Lew)包括二极管调制器。

7.按权利要求1的有光栅失真校正的偏转装置,其特征是,开关控制器(60)响应所述调制第2信号(IPWR)和反馈信号(Fb),用于控制负反馈闭合回路中的所述第2开关半导体(Q2)。

8.按权利要求7的有光栅失真校正的偏转装置,其特征是,在所述电流传感器(62)中产生所述反馈信号(Fb)。

9.按权利要求1的有光栅失真校正的偏转装置,其特征是,所述第2开关半导体(Q2),在所述跟踪间隔(T1和T2)的第2部分期间,把所述调制电感(Lx)耦连到所述跟踪电容器(Cs),在所述跟踪间隔的第1部分(T1和T2的外边跟踪部分),使所述调制电感从所述跟踪电容器断开。

10.按权利要求9的有光栅失真校正的偏转装置,其特征是,所述跟踪间隔的第2部分(图3A至3C的T1和T2)位于相对于所述跟踪间隔中心对称的位置。

11.按权利要求9的有光栅失真校正的偏转装置,其特征是,所述跟踪间隔的所述第2部分在每个跟踪间隔期间按不邻接方式配置。

12.按权利要求9的有光栅失真校正的偏转装置,其特征是,所述跟踪间隔的所述第2部分(T1″,T2″,T3″,T4″)相对于所述跟踪间隔中心对称配置。

13.按权利要求1的有光栅失真校正的偏转装置,其特征是,所述第1开关半导体包括第1开关晶体管(Q1),其中所述第2开关半导体(Q2)包括第2开关晶体管。

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