[发明专利]具有接受监视器用激光的受光元件的半导体激光装置有效

专利信息
申请号: 02126891.6 申请日: 2002-07-19
公开(公告)号: CN1399375A 公开(公告)日: 2003-02-26
发明(设计)人: 河本聡 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 黄剑锋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 接受 监视 器用 激光 元件 半导体 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体激光装置,其中具有接受监视器用激光的受光元件。

背景技术

利用图1A、图1B和图1C来说明过去的半导体激光装置的结构。图1A是表示过去的半导体激光装置的构成的俯视图,图1B是沿上述俯视图中的1B-1B线的剖面图,图1C是从激光的发光面一侧来观看上述半导体激光装置的正视图。

如图1A~图1C所示,半导体激光元件安装座(以下简称半导体激光元件)101被放置在硅片102上。在该硅片102上形成受光元件103,并且,在模压成型的引线框架104上安装硅片102。

在引线框架104周围布置管脚105。在该管脚105和硅片102、受光元件103之间,以及引线框架104和半导体激光元件101之间,形成接合线106。再有,在引线框架104上设置外壳107,以便覆盖上述半导体激光元件101,硅片102、受光元件103和接合线106。

在这种半导体激光装置中,由于其装配时经受过热力,并且激光振荡时发热,若在半导体激光元件101上施加应力,则作为半导体激光元件101所具有的特性的时间性老化将加速进行。因此半导体激光元件101的寿命将缩短。为了采取对策,半导体激光元件101不直接安装到引线框架104上,而是安装到线膨胀系数比较接近的硅片102上。

主激光L1从半导体激光元件101的一边的端面101A射出。监视器用激光L2从与这一边的端面101A相反的一侧的另一边的端面101B发光。监视器用激光L2若从另一端面101B向后方射出,则该监视器用激光L2射入到受光元件103内,由该受光元件103进行光电变换后,作为电流被检测出来。

图1B所示的半导体激光装置,在结构上,监视器用激光L2的主射出方向和受光元件103的受光面变成为平行状态。在此,所谓主射出方向是指监视器用激光L2的射出方向中射出的激光L2的光强度最强的方向。

如上所述,若把受光元件103的受光面布置成与监视器用激光L2的主射出方向相平行,则监视器用激光L2的大部分不射入到受光元件103内,而是作为无用光被周围的外壳107和引线框架104吸收,或者进行散射。但是,由于监视器用激光L2以一定的广角度进行射出,所以,受光元件103对偏离主射出方向的一部分监视器用激光L2进行拾取,将其变换成监视器用电流。所以,过去的半导体激光装置,受光元件103对监视器用激光L的受光率很低。为了把这种缺陷压缩到最小限度,通常把受光元件103布置在尽量接近半导体激光元件101的监视器用激光出射点的地方。这样,就使半导体激光元件101的布置受到很大限制。

并且,如果未射入受光元件103而是将从周围的外壳107和引线框架104上反射出来的散射光射入到半导体激光元件101内,那么就会变成杂波,使激光振荡产生混乱,容易发生故障。

发明的内容

本发明是为解决上述问题而提出的,本发明的半导体激光装置,其特征在于具有:

芯片状半导体激光元件,其射出激光;

芯片状受光元件,其接受从上述半导体激光元件射出的监视器用激光并将其变换成电信号;

引线框架,其上安装上述半导体激光元件和上述受光元件;以

外壳,其结构是在上述半导体激光元件和上述受光元件的周围,对其形成合包围状态,在该外壳内面的至少一部分上具有光反射面。

上述受光元件具有受光面,上述外壳所具有的上述光反射面的至少一部分被布置在与上述受光面对面的位置上。

一条直线通过上述半导体激光元件的上述监视器用激光射出的出射点并与上述监视器用激光的主出射方向相平行,相对于该直线,上述受光元件的上述受光面呈平行状态。

上述外壳所具有的上述光反射面的至少一部分是凹面。

上述凹面是椭圆面。

上述凹面是抛物面。

上述外壳所具有的上述光反射面的至少一部分是白色。

上述受光元件具有受光面,上述受光面的中心被布置在这样一个位置上,该位置通过上述半导体激光元件的监视器用激光进行射出的出射点,包括一条与上述监视器用激光的主出射方向相平行的直线,而且偏离与上述引线框架表面相垂直的平面。

上述外壳所具有的上述光反射面被布置在这样一个位置上,该位置通过上述半导体激光元件的监视器用激光进行射出的出射点,包括一条与上述监视器用激光的主出射方向相平行的直线,而且相交在与上述引线框架表面相垂直的平面上。

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