[发明专利]化合物半导体装置的制造方法

权利要求书

1、一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在向一导电型的外延生长层附着形成栅极的栅格金属层的工序之前，在预定的接点区域下的外延生长层表面，形成一导电型高浓度区域；

形成和所述高浓度区域邻接的绝缘层；

在所述高浓度区域上附着所述栅格金属层，形成第一接点电极；

在所述第一接点电极上附着接点金属层，形成第二接点电极；

在所述第二接点电极上压装接合线。

2、一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在向一导电型的外延生长层附着形成栅极的栅格金属层的工序之前，在预定的接点区域下及预定的配线层下的外延生长层表面，形成一导电型高浓度区域；

在所述邻接的高浓度区域之间形成绝缘层；

在所述高浓度区域上附着所述栅格金属层，形成第一接点电极及配线层；

在所述第一接点电极上附着接点金属层，形成第二接点电极；

在所述第二接点电极上压装接合线。

3、一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在GaAs基板上层积缓冲层与一导电型外延生长层，设置源极及漏极区域，与由所述一导电型外延生长层形成的沟道层邻接，形成FET的沟道区域，同时在预定的接点区域下形成高浓度区域；

在除去所述沟道区域及所述高浓度区域的整个面上形成绝缘层；

在所述源极及漏极区域，附着作为第一层电极的电阻金属层，形成第一源极及第一漏极；

在所述沟道层及所述高浓度区域上，附着作为第二层电极的栅格金属层，形成栅极及第一接点电极；

在所述第一源极及第一漏极和第一接点电极上，作为第三层电极附着接点金属层，形成第二源极及第二漏极和第二接点电极；

在所述第二接点电极上压装接合线。

4、一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在GaAs基板上层积缓冲层与一导电型外延生长层，设置源极及漏极区域，与由所述一导电型外延生长层形成的沟道层邻接，形成FET的沟道区域，同时在预定的接点区域下及预定的配线层下，形成高浓度区域；

在除去所述沟道区域及所述浓高度区域的整个面上形成绝缘层；

在所述源极及漏极区域，附着作为第栅1层电极的电阻金属层，形成第一源极及第一漏极；

在所述沟道层及所述高浓度区域上，附着作为第二层电极的栅格金属层，形成栅极及第一接点电极及配线层；

在所述第一源极及第一漏极和第一接点电极上，附着作为第三层电极的接点金属层，形成第二源极及第二漏极和第二接点电极；

在所述第二接点电极上压装接合线。

5、权利要求书3或4所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，所述缓冲层利用外延生长层生长而形成。

6、权利要求书1或3所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于：所述高浓度区域从所述接点电极露出设置。

7、权利要求书2或4所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，所述高浓度区域从所述接点电极及所述配线层露出设置。

8、权利要求书1或3所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，所述高浓度区域在所述接点电极周端部之下，一部分从所述接点电极露出设置。

9、权利要求书2或4所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，所述高浓度区域在所述接点电极周端部及所述配线层周端部之下，一部分从所述接点电极及所述配电层露出设置。

10、权利要求书1到4任一项所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，所述绝缘层利用离子注入设置。

11、权利要求书1到4任一项所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，所述栅格金属层包括以下工序，在蒸镀最下层为Pt的金属多层膜之后，进行热处理，将所述栅极的一部分埋入所述一导电型外延生长层表面。

12、权利要求书11所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述一导电型外延生长层表面层积无杂质外延生长层，所述栅极埋入到所述无杂质外延生长层下端附近。