[发明专利]电路装置的制造方法无效
申请号: | 02123158.3 | 申请日: | 2002-06-19 |
公开(公告)号: | CN1392602A | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
发明(设计)人: | 五十岚优助;坂本则明;小林义幸;中村岳史 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H05K3/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 杨梧,马高平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电路装置的制造方法,特别是涉及利用二个导电膜的箔型也能实现多层配线的电路装置的制造方法。
背景技术
近年来,IC组件随着在组装便携式机器和小型·高密集度组装机器上采用,而也必将使过去的IC组件及其组装概念发生大的改变,例如特开平2000-133678号公报中所描述的是关于采用作为绝缘树脂片的一例的即柔性片的聚酰胺树脂片的半导体装置的技术。
图13~图15采用柔性片50作为中间母材基片。另外,在各图上面所示的图面是平面图,在下面所示的图面是沿A-A线的剖视图。
首先准备在图13所示的柔性片50上通过粘接剂贴合铜箔图形51。该铜箔图形51随着组装的半导体元件是晶体管,IC的不同,其图形也不同,一般地说,形成焊接点51A,岛51B。而符号52是用于从柔性片50的里面取出电极的开口部,上述铜箔图形51露出。
接着把该柔性片50运送到芯片焊接器,如图14所示,组装半导体元件53。其后该柔性片50运送给引线焊接器,用金属细线54电连接焊接点51A和半导体元件53的焊接点。
最后如图15A所示,在柔性片50的表面上准备密封树脂55密封,在此为了被覆焊接点51A、岛51B、半导体元件53和金属细线54而进行连续自动模塑。
然后,如图15所示,设置焊锡和焊锡孔等连接手段,使其通过锡焊软融炉借助开口部52形成焊接点51和熔融着的球状焊锡56。然而因在柔性片50上半导体元件53形成为矩阵状,所以被切割成图14那样,彼此分别分开。
另外,在图15C中所示的剖视图是在柔性片50的两面上形成51A和51D作为电极。该柔性片50一般在两面形成图形后由制造商供给。
由于利用上述的柔性片50的半导体装置不用公知的金属框架,而且有能实现非常小型且薄的封装构造的优点,但因只用形成在大致为柔性片50的表面上的一层铜箔图形51进行配线,而存在不能实现多层配线构造的问题。
另外,为了实现多层配线构造而保持支持强度,又必需使柔性片50达到约200μ的足够的厚度,这又是与薄形化逆行的问题。
另外,关于制造方法,柔性片50运送到上述的制造装置例如芯片焊接器、引线焊接器、连续自动模塑装置、软熔炉等中后,要安装在所谓台或平台的部分上。
然而,当构成柔性片50的基材的绝缘树脂的厚度薄到50μm左右时,在形成在表面上的铜箔图形51的图形51的厚度也薄到9~35μm的情况下,存在如图16所示那样因翘起而使运送性变得非常差,并且使在上述的台或平台上的安装性也变得很差的缺点。这被认为是因绝缘树脂本身非常薄而产生翘起,因铜箔51与绝缘树脂的热膨胀系数的差引起翘起的结果。特别是在当不用玻璃交叉纤维作为芯材的结实的绝缘材料如图16中所示那样翘起时,从上方简单加压就会使其破裂。
另外,开口部52的部分因在模塑时从上面加压而使焊接点51A的周边向上翘起的力起作用,并且还使焊点51的连接性能变差。
另外,当构成柔性片50的树脂材料本身无柔性,并为提高导热性而掺入填加物时则会变硬,在该状态下存在用引线焊接器焊接时在焊接部分中出现裂纹的情况,而且即使在自动模塑时,在模具接触的部分上也存在出现裂纹的情况,该裂纹如图16所示那样因发生翘起而变得更严重。
迄今为止说明的柔性片50虽然是在里面上不形成电极的,但如图15C所示,也有在柔性片50的里面上形成电极51D的情况。这时电极51D与上述制造装置接触,由于与该制造装置间的运送手段的运送面接触,而存在在电极51D的里面上发生损伤的问题,因该损伤按原样作为电极构成,所以也存在以后因加热等在电极51D本身上出现裂纹的问题。
另外,当电极51D形成在柔性片50的里面上时,在自动模塑时,发生不能与台面接触的问题。这时,当如上所述那样柔性片50由硬的材料构成时,电极51D变成支点,由于电极51的周围被向下方加压,而存在使柔性片50上产生裂纹的问题。
本发明人为了解决这些问题而曾建议采用用绝缘树脂使薄的第一导电膜和厚的第二导电膜贴合的绝缘树脂片。
然而,在实现多层配线构造上用薄的第一导电膜形成细的图形,厚的第二导电膜在形成微细的图形时也存在不合适的问题。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造