[发明专利]电路装置的制造方法

权利要求书

1.一种电路装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备用绝缘树脂粘接第一导电膜和第二导电膜的绝缘树脂片的工序；

在上述绝缘树脂片的所希望的位置上形成贯通第一导电膜和上述绝缘树脂的贯通孔，以使上述第二导电膜的里面选择地露出的工序；

在上述贯通孔中形成多层连接手段，并使第一导电膜和第二导电膜电连接的工序；

通过把上述第一导电膜蚀刻成所希望的图形来形成第一导电配线层的工序；

在上述第一导电配线层上电绝缘地固定半导体元件的工序；

用密封树脂层被覆上述第一导电配线层和上述半导体元件的工序；

在为了使上述第二导电膜全面减薄而蚀刻上述第二导电膜后，通过蚀刻上述第二导电膜形成第二导电配线层的工序；

在上述第二导电配线层的所希望位置上形成外部电极的工序。

2.如权利要求1所述的电路装置的制造方法，其特征在于：上述第一导电膜和第二导电膜由铜箔制成。

3.如权利要求1所述的电路装置的制造方法，其特征在于：使上述第一导电膜比上述第二导电膜形成得薄，使上述第一导电配线层微细图形化。

4.如权利要求1所述的电路装置的制造方法，其特征在于：使上述第二导电膜比上述第一导电膜形成得厚，用上述第二导电膜机械地支持直到用上述密封树脂层被覆的工序为止。

5.如权利要求1所述的电路装置的制造方法，其特征在于：在用上述密封树脂层被覆的工序后，用上述密封树脂层机械地支持。

6.如权利要求1所述的电路装置的制造方法，其特征在于：上述贯通孔是在蚀刻上述第一导电膜后，把上述第一导电膜作为掩模，用激光蚀刻上述绝缘树脂而形成。

7.如权利要求6所述的电路装置的制造方法，其特征在于：上述激光蚀刻用二氧化碳气体激光。

8.如权利要求1所述的电路装置的制造方法，其特征在于：上述多层连接手段用导电金属的无电场镀层和电场镀层形成在上述通孔和上述第一导电膜表面上。

9.如权利要求1所述的电路装置的制造方法，其特征在于：在上述第一导电配线层形成后，留下所希望的位置，用涂层树脂被覆。

10.如权利要求9所述的电路装置的制造方法，其特征在于：在从上述第一导电配线层的上述涂层树脂中露出的位置上形成金或银镀层。

11.如权利要求9所述的电路装置的制造方法，其特征在于：在上述涂层树脂上固定上述半导体元件。

12.如权利要求10所述的电路装置的制造方法，其特征在于：通过连接引线连接上述半导体元件的电极和上述金或银镀层。

13.如权利要求1所述的电路装置的制造方法，其特征在于：上述密封树脂层用连续自动模塑形成。

14.如权利要求1所述的电路装置的制造方法，其特征在于：使上述第二导电膜不用掩模全面均匀蚀刻减薄。

15.如权利要求1所述的电路装置的制造方法，其特征在于：用涂层树脂被覆上述第二导电配线层的大部分。

16.如权利要求1所述的电路装置的制造方法，其特征在于：上述外部电极通过焊锡的丝网印刷附着焊锡后加热熔融形成。

17.如权利要求1所述的电路装置的制造方法，其特征在于：上述外部电极通过焊锡的软熔形成。

18.如权利要求1所述的电路装置的制造方法，其特征在于：上述外部电极通过蚀刻成所希望的图形，然后将其表面镀金或钯来形成。