[发明专利]电路装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 02123151.6 申请日: 2002-06-19
公开(公告)号: CN1392598A 公开(公告)日: 2003-01-22
发明(设计)人: 五十岚优助;坂本则明;小林义幸;中村岳史 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/48;H05K3/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 杨梧,马高平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电路 装置 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电路装置的制造方法,尤其涉及使用两张导电膜的可实现薄型化的电路装置的制造方法。

背景技术

近年来,IC组件正在用于移动设备或小型、高密度安装设备,固有的IC组件及其安装概念正在产生大的改变。例如,特开2000-133678号公报所公开的技术。它是关于作为绝缘树脂板的一例采用了挠性板聚酰亚胺树脂板的半导体装置的技术。

图9~图11是将挠性板50用作辅助衬底的图。另外,各图中上面的图为平面图,下面的图为A-A线剖面图。

首先,在图9所示的挠性板50上通过粘接剂粘贴准备了铜箔图案51。该铜箔图案51因安装的半导体元件为晶体管、IC其图形不同,但是通常形成有焊盘51A、隔离岛51B。符号52是用于自挠性板50的背面取出电极的开口部,所述铜箔图案51露出。

接着,该挠性板50被搬送到装片机,如图10所示,安装半导体元件53。然后,该挠性板50被搬送到引线接合器,用金属细线54电连接焊盘51A和半导体元件53的接点。

最后,如图11(A)所示,在挠性板50的表面上设置封装树脂55进行封装。这里,用传递模被覆焊盘51A、隔离岛51B、半导体元件53及金属细线54。

然后,如图11(B)所示,设置焊料或焊球等连接机构56,通过焊料反射炉经开口部52形成与焊盘51A熔接的球状焊料56。而且,由于半导体元件53在挠性板50上矩阵状形成,故如图11所示被切割而一个个分离。

图11(C)所示的剖面图表示在挠性板50的两面作为电极形成51A和51D。该挠性板50通常是在两面上制作图案,由厂家提供。

发明内容

在现有的制造方法中,挠性板50在所述制造装置中,例如在装片机、引线接合器、传递模装置、反射炉等中搬送,并安装在被称作载物台或工作台的部分。

但是,当作为挠性板50的基础原料的绝缘树脂的厚度薄至50μm左右时,表面上形成的铜箔图案51的厚度也很薄,为9~35μm,这种情况下,如图12所示,存在弯曲、不易搬送且向所述载物台或工作台的安装性能差等缺点。这被认为是由于绝缘树脂自身非常薄而引起的弯曲、铜箔图案51和绝缘树脂的热膨胀系数之差引起的弯曲。尤其是,未将玻璃布纤维用于芯件的硬的绝缘材料当如图12所示弯曲时,会由于来自上部的加压而很容易地开裂。

开口部52的部分在制模时要自上部加压,故会作用使焊盘51A的周边向上弯曲的力,甚至会使焊盘51A的粘接性恶化。

当构成挠性板50的树脂材料自身无柔性或为了提高导热性而混入填充物时,就会变硬。若在该状态下用引线接合器进行接合,则有可能在接合部产生裂纹。在传递模模装时也有可能在模型接触的部分产生裂纹。这一点如图12所示若存在弯曲则更明显。

如上所述的挠性板50是背面未形成电极的挠性板,如图11(C)所示,有时在挠性板50的背面也会形成电极51D。此时,由于电极51d会和所述制造装置接触或与该制造装置间的搬送装置的搬送面接触,故电极51D的背面会产生损伤。由于是存在该损伤的状态下作为电极,故在其后加热等时电极51D本身会产生裂纹。

当挠性板50的背面设有电极51D时,在传递模模装时,会产生不能与载物台面接触的问题。这种情况下,当如前所述挠性板50由硬的材料构成时,以电极51D为支点,电极51D的周围被向下加压,故会在挠性板50上产生裂纹。

本发明是为了解决上述问题而开发的,本发明的电路装置的制造方法包括下述工序:准备用绝缘树脂粘接第一导电膜和第二导电膜的绝缘树脂板;将所述第一导电膜蚀刻成所需图案,形成导电配线层;在所述导电配线层上电绝缘地固定安装半导体元件;用封装树脂层被覆所述导电配线层及所述半导体元件;蚀刻除去所述第二导电膜;在覆盖所述导电配线层的背面的所述绝缘树脂上设置通孔,在所述导电配线层上形成外部电极。

由于第一导电膜及第二导电膜形成得较厚,故即使绝缘树脂薄也可维持板状的电路衬底的平整度。

由于在用封装树脂层被覆第一导电膜及半导体元件的工序之前,第二导电膜具有机械强度,之后使封装树脂层具有机械强度,故可容易地除去第二导电膜。其结果,绝缘树脂不必具有机械强度,可减薄至可保持电绝缘的程度。

另外,由于传递模装置的下模可以与第二导电膜整体面接触,故没有局部加压,可抑制绝缘树脂产生裂纹。

附图说明

图1是说明本发明电路装置的制造方法的剖面图;

图2是说明本发明电路装置的制造方法的剖面图;

图3是说明本发明电路装置的制造方法的剖面图;

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