[发明专利]电路装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 02123151.6 申请日: 2002-06-19
公开(公告)号: CN1392598A 公开(公告)日: 2003-01-22
发明(设计)人: 五十岚优助;坂本则明;小林义幸;中村岳史 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/48;H05K3/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 杨梧,马高平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电路 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种电路装置的制造方法,其特征在于,包括下述工序:准备用绝缘树脂粘接第一导电膜和第二导电膜的绝缘树脂板;将所述第一导电膜蚀刻成所需图案,形成导电配线层;在所述导电配线层上电绝缘地固定安装半导体元件;用封装树脂层被覆所述导电配线层及所述半导体元件;蚀刻除去所述第二导电膜;在覆盖所述导电配线层的背面的所述绝缘树脂上设置通孔,在所述导电配线层上形成外部电极。

2、如权利要求1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述第一导电膜及所述第二导电膜由铜箔形成。

3、如权利要求1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述第一导电膜形成得比所述第二导电膜薄,在所述导电配线层上形成微细图案。

4、如权利要求1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述第二导电膜比所述第一导电膜厚,在由所述封装树脂层被覆的工序之前,由所述第二导电膜进行机械性支承。

5、如权利要求1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,在由所述封装树脂层被覆的工序之后,由所述封装树脂层进行机械性支承。

6、如权利要求1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述通孔是激光蚀刻所述绝缘树脂而形成的。

7、如权利要求6所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述激光蚀刻使用二氧化碳激光。

8、如权利要求1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,在形成所述导电配线层之后,除留下所需部位外,用外敷层树脂进行被覆。

9、如权利要求8所述的电路装置的制造方法,其特征在于,在所述导电配线层自所述外敷层树脂露出的部位形成金或银的镀层。

10、如权利要求8所述的电路装置的制造方法,其特征在于,将所述半导体元件固定安装在所述外敷层树脂上。

11、如权利要求10所述的电路装置的制造方法,其特征在于,用接合引线连接所述半导体元件的电极和所述金或银的镀层。

12、如权利要求1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述封装树脂层由传递模形成。

13、如权利要求1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述第二导电膜无掩模整面蚀刻而除去。

14、如权利要求1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述通孔设于所需的所述导电配线层的背面。

15、如权利要求1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述外部电极利用焊料的网印附着焊料并加热熔融而形成。

16、如权利要求1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述外部电极利用焊料的反流形成。

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